型号:

VNLD5160TR-E

品牌:ST(意法半导体)
封装:SO-8
批次:24+
包装:编带
重量:0.227g
其他:
-
VNLD5160TR-E 产品实物图片
VNLD5160TR-E 一小时发货
描述:功率电子开关 3.5A 160mΩ 41V
库存数量
库存:
1915
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.85
2500+
3.7
产品参数
属性参数值
类型低侧开关
通道数2
输入控制逻辑高电平有效
最大连续电流3.5A
工作电压41V
导通电阻160mΩ
工作温度-40℃~+150℃
特性过热保护(OTP);过压保护(OVP);过流保护(OCP)

VNLD5160TR-E 产品概述

一、简介

VNLD5160TR-E 是意法半导体(ST)面向中小功率负载开关的双通道低侧功率电子开关,额定工作电压 41V、最大连续电流 3.5A、通态电阻 160mΩ,采用 SO-8 封装。器件集成了多重保护与简单的逻辑控制,适用于需可靠断开或限流的多路直流负载管理场景。

二、主要性能与规格

  • 通道数:2 个独立低侧通道
  • 最大连续电流:3.5 A(单通道)
  • 导通电阻(RDS(on)):160 mΩ(典型/最大视应用条件)
  • 最大工作电压:41 V
  • 工作温度范围:-40 ℃ 至 +150 ℃
  • 输入控制:高电平有效(主动拉高使能对应通道)
  • 保护特性:过热保护(OTP)、过压保护(OVP)、过流保护(OCP)
  • 封装:SO-8(便于通用 PCB 布局与自动贴片)

三、保护功能与控制逻辑

器件内置 OTP/OVP/OCP,能在异常工况下保护芯片与负载。过流时可限制电流或关断通道以防止损坏;过热时触发热关断并在温度恢复后恢复工作(具体恢复策略请结合数据手册确认);过压保护用于抑制输入端高压瞬变。输入端为高电平有效,便于与 MCU、逻辑电平直接接口,建议用上拉/下拉电阻确保未连接时状态明确。

四、热设计与布局建议

  • 最大稳态功耗示例:在 3.5 A 下单通道功耗约 P = I^2·R = 3.5^2 × 0.16 ≈ 1.96 W,需合理散热设计。
  • 建议在器件下方/周边布置大面积铜箔与热过孔,使用多层地平面以降低结‑到‑环境热阻。
  • 尽量缩短电源与负载走线,增大铜厚与宽度,减少额外寄生电阻与发热。
  • 对感性负载要配置合适的续流二极管或在系统侧使用 TVS 限制瞬态,保护开关免受反向电压冲击。

五、典型应用场景

  • 汽车与工业 12V/24V 总线的分路负载开关(需注意对汽车脉冲电压的抑制)
  • 电机小电流辅助回路、灯光与执行器开关控制
  • 电池管理与电源分配模块中的多路负载控制
  • 家电与消费电子中的局部电源开关与故障保护

六、使用要点与建议

  • 输入接口:保证控制信号的高电平满足器件门限;未驱动时用下拉电阻防止误导通。
  • 旁路电容:在器件电源侧近端置放足够的去耦电容以应对瞬态电流。
  • 保护协同:在可能出现大幅瞬态或反向尖峰的场合,配合 TVS、续流二极管与滤波网络使用。
  • 可靠性:在连续高电流或高温工况下做适当的电流/占空比降额,保证长期可靠工作。

总结:VNLD5160TR-E 以其 41V 耐压、3.5A 等级与多重保护特性,适合于对可靠性与集成度有要求的双通道低侧开关场合。合理的 PCB 热设计与外围抑制措施能显著提升系统稳定性与寿命。