型号：
IMBF170R1K0M1XTMA1
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TO-263-7-13
批次：-
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：碳化硅场效应管(MOSFET) IMBF170R1K0M1XTMA1 TO-263-7-13
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
18.87
100+
16.85
产品参数
属性参数值
制造商Infineon Technologies
系列CoolSiC™
包装卷带（TR）
零件状态有源
FET 类型N 通道
技术SiCFET（碳化硅）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）12V，15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）1000毫欧 @ 1A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）5.7V @ 1.1mA
Vgs（最大值）+20V，-10V
功率耗散（最大值）68W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装PG-TO263-7
封装/外壳TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
漏源电压（Vdss）1700V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）5nC @ 12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）275pF @ 1000V
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