ESD7104MUTAG 产品概述（ON Semiconductor）

一、概述

ESD7104MUTAG 是安森美推出的一款静电与浪涌保护器件（TVS/ESD），专为对敏感接口提供高可靠性瞬态抑制而设计。器件采用 UDFN-10 (1.0 × 2.5 mm) 紧凑封装，工作温度范围宽 (-55 ℃ 至 +125 ℃)，适合移动、消费电子及工业级应用环境。

二、主要特点

• 钳位电压：典型 10 V，可在瞬态事件中有效限制电压峰值，保护下游电路。
• 反向截止电压 Vrwm：5 V，适配常见的 5 V/USB 等电源与信号线路。
• 击穿电压 VBR：约 5.5 V，为器件工作于雪崩区提供参考。
• 结电容 Cj：约 0.3 pF（单通道），极低的寄生电容对高速信号影响小。
• 反向漏电流 Ir：约 1 μA，低漏电流有助于保持系统静态功耗低。
• 防护等级：符合 IEC 61000-4-2 ESD 标准，能应对常见静电放电事件。
• 类型：ESD/TVS 器件，专用瞬态抑制功能。

三、典型应用

• USB、HDMI、MIPI、LVDS 等高速数据接口的静电与浪涌防护；
• 手机、平板、相机等消费电子的外部连接器保护；
• 工业控制、物联网设备的信号线与通信端口防护；
• 具有严格信号完整性要求的差分/高速通道场合，因其低 Cj 特别适合。

四、设计与布局建议

• 将 ESD7104MUTAG 放置于被保护接口的最靠近连接器位置，尽量缩短到保护点的走线长度；
• 保护器地线应尽可能短且通过多盏地线回流以降低回路阻抗，必要时在地旁布局过孔（vias）；
• 对高速信号线保持阻抗连续性，避免在保护器位置引入多余弯折或不必要的走线长；
• 在焊接与贴装过程中遵循制造商的热回流和处理建议，注意小封装的热敏特性。
• 设计时留意 Vrwm 与系统工作电压匹配，避免器件在正常工作状态下进入击穿区。

五、封装与订购信息

• 封装：UDFN-10 (1 × 2.5 mm)，节省 PCB 面积，适合空间受限设计；
• 型号：ESD7104MUTAG，品牌：ON (安森美)。
  （具体采购编码、包装方式和最小订购量请参照安森美最新产品目录或与代理商确认。）

六、总结

ESD7104MUTAG 以其低结电容（0.3 pF）、低漏电流（1 μA）、5 V 反向截止电压及典型 10 V 钳位电压，为需要同时兼顾高速信号完整性与高可靠性静电保护的应用提供了一个紧凑而高效的解决方案。适当的 PCB 布局和接地设计可最大化器件的保护效果，满足消费电子与工业设备对抗静电与瞬态过电压的需求。