LM2904MM/TR 产品概述

一、概述

LM2904MM/TR（HGSEMI 华冠）是一款双路低功耗运算放大器，面向工业级与消费类低频模拟信号处理场景。器件支持宽电源范围与单/双电源供电，具有较高的共模抑制比与较低的输入失调，适用于传感信号调理、低速滤波、比较放大和差分放大等应用。

二、主要参数

• 共模抑制比（CMRR）：80 dB
• 最大电源电压（Vdd − Vss）：36 V
• 输入失调电压（Vos）：典型 5 mV
• 放大器数量：双路
• 输入偏置电流（Ib）：250 nA
• 输入失调电流（Ios）：10 nA
• 增益带宽积（GBP）：1.2 MHz
• 静态电流（Iq）：约 500 μA（器件级）
• 输出电流：最大 24 mA
• 供电：单电源 3 V ~ 36 V；双电源 ±18 V（Vee ~ Vcc）
• 工作温度范围：−40 ℃ ~ +85 ℃
• 封装：MSOP-8

三、核心特性与设计要点

• 宽工作电源：支持 3 V 至 36 V 单电源，或 ±18 V 双电源，利于在多种电源拓扑中部署。
• 低功耗：器件静态电流低（约 500 μA），适合对功耗敏感的便携与长寿命系统。
• 低偏置与低失调：输入失调电压约 5 mV，输入偏置电流 250 nA，能满足多数低频精度放大需求；失调电流 10 nA 有助于减小直流误差。
• 带宽与速率：1.2 MHz 的增益带宽积表明该器件适合低至中频增益应用（音频、低速信号调理）；不宜用于高速信号放大。
• 输出能力：最大输出电流 24 mA，可直接驱动中小负载，但对重负载或大电流输出应外接驱动器或功率级。
• 共模范围与抑制能力：CMRR 80 dB 有利于抑制共模干扰，适合差分信号放大与传感器接口。

设计建议：

• 在电源引脚处并联 0.1 μF 陶瓷电容与 1 μF 以上的旁路电容，减少电源噪声与瞬态影响。
• 避免输入超过电源轨（ESD 和反向输入保护视封装与内部结构而定），必要时加限流或钳位保护。
• 对需要高精度直流增益的应用，考虑外部偏置或失调校正电路以减小 Vos 带来的误差。
• 在高环境温度与高功耗工况下注意封装散热，MSOP-8 封装需遵循布局和焊盘建议以利散热。

四、典型应用场景

• 传感器前端放大（电流/电压传感、热电偶、应变片）
• 低速有源滤波与积分/差分放大器
• 便携式仪器、数据采集前端
• 汽车与工业控制中对低频信号的调理（在其工作温度范围内使用）
• 基本比较与检测电路（注意不是高速比较器）

五、封装与订购信息

• 封装：MSOP-8（适合空间受限的 PCB 布局）
• 型号：LM2904MM/TR（HGSEMI 华冠品牌）
• 订购时注意批次与温度等级，确认所需的散热与封装选项，并索取完整数据手册以获取典型电气特性曲线与布局建议。

六、可靠性与使用建议

• 工作温度 −40 ℃ 至 +85 ℃，适用于大多数工业与消费环境；高温下偏置电流和失调可能上升，应在设计中留出余量。
• 长期运行建议做功耗与热仿真，确保 MSOP-8 封装不会出现热堆积。
• 在对抗干扰能力要求高的系统中，配合差分布局、良好接地与屏蔽设计可发挥器件的 CMRR 优势。

综上，LM2904MM/TR 是一款面向低功耗、宽电源与低频信号处理的双路运放，凭借平衡的性能参数与小型封装，适合传感器接口与通用信号调理等多种应用场合。若需更精确的电气特性（噪声、摆率、输出摆幅等），请参考厂商完整数据手册。