型号：
IPD200N15N3GATMA1
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TO-252-3(DPAK)
批次：24+
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：The 150V OptiMOS™ achieves a reduction in R DS(on) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor. This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.
库存数量
库存：
2500
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
8.8
100+
7.58
1250+
7.22
产品参数
属性参数值
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）150V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）20 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）31nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1820pF @ 75V
功率耗散（最大值）150W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-TO252-3
封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
常见问题
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