型号:

LMV324MT/TR

品牌:HGSEMI(华冠)
封装:TSSOP-14
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
LMV324MT/TR 产品实物图片
LMV324MT/TR 一小时发货
描述:运算放大器 四路
库存数量
库存:
1443
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.529
2500+
0.485
产品参数
属性参数值
放大器数四路
最大电源宽度(Vdd-Vss)7.5V
轨到轨轨到轨输入,轨到轨输出
增益带宽积(GBP)1MHz
输入失调电压(Vos)3.5mV
输入失调电压温漂(Vos TC)2.7uV/℃
压摆率(SR)600V/ms
输入偏置电流(Ib)1pA
输入失调电流(Ios)500pA
噪声密度(eN)27nV/√Hz@1kHz
共模抑制比(CMRR)80dB
静态电流(Iq)75uA
输出电流18mA
工作温度-40℃~+125℃
单电源2.1V~5.5V
双电源(Vee~Vcc)-2.75V~-1.25V;1.25V~2.75V

LMV324MT/TR(HGSEMI 华冠)产品概述

一、产品简介

LMV324MT/TR 是华冠(HGSEMI)推出的一款四路运算放大器,采用 TSSOP-14 封装。器件支持轨到轨输入与轨到轨输出,适合低电压、低功耗的便携与工业级模拟前端设计。每通道静态电流低,输入偏置与噪声特性良好,适用于传感器接口、滤波、信号调理与通用放大器应用。

二、主要规格(概览)

  • 放大器数:4 路
  • 最大电源宽度 (Vdd–Vss):7.5 V
  • 单电源工作范围:2.1 V ~ 5.5 V
  • 对称双电源(近似):±1.25 V ~ ±2.75 V(对应总电源宽度 ≤7.5 V)
  • 轨到轨:输入 / 输出 均为轨到轨
  • 增益带宽积 (GBP):1 MHz
  • 输入失调电压 (Vos):3.5 mV
  • 输入失调电压温漂 (Vos TC):2.7 μV/°C
  • 压摆率 (SR):600 V/ms
  • 输入偏置电流 (Ib):1 pA
  • 输入失调电流 (Ios):500 pA
  • 噪声密度 (en):27 nV/√Hz @ 1 kHz
  • 共模抑制比 (CMRR):80 dB
  • 静态电流 (Iq):75 μA(每通道典型)
  • 输出电流:18 mA
  • 工作温度范围:-40 °C ~ +125 °C
  • 封装:TSSOP-14

三、主要特性与优势

  1. 低电压工作:支持最低 2.1 V 单电源,适合锂电池与低压供电系统。
  2. 轨到轨输入/输出:最大化可用摆幅,便于直接驱动后级并简化偏置电路。
  3. 低功耗:每通道典型静态电流约 75 μA,有利于延长电池工作时间。
  4. 极低输入偏置电流(1 pA):非常适合高阻抗传感器与仪表放大。
  5. 较低噪声(27 nV/√Hz@1kHz)与中等增益带宽(1 MHz):适合音频、传感信号调理与低频精密放大。
  6. 快速压摆率(600 V/ms):对快速边沿或脉冲响应友好,可改善瞬态性能。

四、典型应用场景

  • 便携式与电池供电仪器(数据采集前端、便携式测量)
  • 传感器接口(温度、电荷、微小电压信号放大)
  • 主动滤波与信号整形(低通/带通滤波器)
  • 精密比较级前置放大与缓冲
  • 工业控制信号调理与驱动低速 DAC/ADC 前端

五、使用建议与注意事项

  • 虽为轨到轨器件,但在驱动大负载或要求最大摆幅时仍受限于输出电流与负载,设计时应保留足够余量。
  • 推荐在电源端放置去耦电容(如 0.1 μF 与 1 μF 并联)以保证供电稳定,降低干扰。
  • 对于高精度应用,建议进行输入失调校准并考虑温漂影响(Vos TC ≈ 2.7 μV/°C)。
  • 布局注意输入引线长度与接地回路,利用星形地或面地以降低噪声与偏置电流影响。
  • 在高速或更高带宽需求下(>100 kHz 增益场合)需评估 GBP(1 MHz)是否满足系统要求。

六、封装与订购信息

  • 品牌:HGSEMI(华冠)
  • 型号:LMV324MT/TR
  • 封装:TSSOP-14
  • 工作温度:-40 °C 至 +125 °C

如需详细电气特性曲线、引脚排列图或参考电路,请告知我需要的内容,我可提供对应资料与典型应用电路建议。