型号:

SN74LVC1G32DPWR

品牌:TI(德州仪器)
封装:X2-SON-4-EP(0.8x0.8)
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
SN74LVC1G32DPWR 产品实物图片
SN74LVC1G32DPWR 一小时发货
描述:或门-IC-1-通道-4-X2SON(0.8x0.8)
库存数量
库存:
6
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.774
3000+
0.718
产品参数
属性参数值
逻辑类型或门
通道数1
工作电压1.65V~5.5V
静态电流(Iq)10uA
灌电流(IOL)32mA
拉电流(IOH)24mA
输出高电平(VOH)3.8V;1.9V;2.4V;1.2V
输出低电平(VOL)300mV;400mV;450mV;550mV
系列74LVC
传播延迟(tpd)4.5ns@5V,50pF
工作温度-40℃~+125℃
输入通道数2

SN74LVC1G32DPWR 产品概述

一、概述

SN74LVC1G32DPWR 是 TI(德州仪器)推出的一颗单通道、双输入或门(OR),属于 74LVC 低压 CMOS 逻辑系列。器件工作电压范围宽,1.65 V ~ 5.5 V,适用于多电压系统间的逻辑接口与门控功能。封装为超小型 X2-SON-4-EP(0.8 mm × 0.8 mm),非常适合对 PCB 面积要求极高的便携式和消费电子设备。

二、主要电气参数

  • 逻辑类型:2 输入或门(1 通道)
  • 工作电压:1.65 V ~ 5.5 V(支持 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V / 5 V 系统)
  • 静态电流(Iq):典型 10 µA,适合低功耗设计
  • 输出驱动能力:下拉 IOL = 32 mA(sink),上拉 IOH = 24 mA(source)
  • 输出电平(典型,随 VCC 与负载变化,详见数据手册):
    • VOH 示例:3.8 V;1.9 V;2.4 V;1.2 V
    • VOL 示例:300 mV;400 mV;450 mV;550 mV
  • 传播延迟(tpd):约 4.5 ns(VCC = 5 V,CL = 50 pF)
  • 工作温度范围:-40 ℃ ~ +125 ℃

说明:上述 VOH/VOL 给出为不同供电/负载条件下的特征值,具体时序与电平保证请参阅 TI 官方数据手册以获取在特定 VCC、IO 条件下的典型与极限参数。

三、封装与 PCB 布局建议

  • 封装:X2-SON-4-EP(0.8 mm × 0.8 mm),带外露散热焊盘(EP)。
  • 建议在 PCB 设计中参考 TI 的封装焊盘与回流焊工艺推荐:露热垫通常需焊接以改善热、机械和接地性能(是否接地请以器件封装说明为准)。
  • 强烈建议在 VCC 引脚附近放置 0.1 µF 陶瓷旁路电容,尽量靠近器件焊盘布置,以降低瞬态噪声与保证信号完整性。
  • 由于封装体积极小,贴片与回流参数需严格控制,模板与焊膏量调校对良率影响显著。

四、典型应用场景

  • 低功耗便携设备中的逻辑合并与门控,例如按键矩阵、唤醒逻辑、片选线路等。
  • 不同电平域之间的简单逻辑接口与信号合并,得益于 1.65–5.5 V 的工作电压范围。
  • 工业与汽车电子中的小型逻辑替换、信号预处理(在温度范围 -40 ℃~+125 ℃ 下可靠工作)。
  • 空间受限的消费类电子、可穿戴设备以及 IoT 节点中作为占位小而快的逻辑单元。

五、设计注意事项与选型建议

  • 驱动能力强(可达 32 mA 下拉):在驱动较大负载或多路 CMOS 输入时可提供足够电流,但若作为长线驱动或高容性负载驱动,应评估电压降与发热。
  • 出于稳健性考虑,如果器件需用于严格的电平兼容或故障安全场景,请参考 TI 数据手册的输入阈值、噪声裕度与热限额,并在关键路径加入滤波或上拉/下拉元件以避免不定态。
  • 小尺寸封装对手工焊接和返修不友好,批量生产请优先采用贴片回流工艺。
  • 若设计需更高驱动能力或更低延迟,可在 74LVC 系列中按需选择多通道或高驱动型号;若更注重超低功耗与睡眠模式,则注意对比 Iq 与静态泄漏参数。

以上为 SN74LVC1G32DPWR 的概要介绍与工程应用建议。如需准确的时序图、电平表格或 PCB 焊盘建议图,请参考 TI 官方数据手册或提出具体电源/负载条件,我可以帮您进一步筛选对应的典型曲线与设计细节。