型号:

BC556BBK

品牌:DIOTEC(德欧泰克)
封装:TO-92
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
BC556BBK 产品实物图片
BC556BBK 一小时发货
描述:三极管(BJT) 500mW 65V 100mA PNP
库存数量
库存:
4684
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.109
5000+
0.0893
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)65V
耗散功率(Pd)500mW
直流电流增益(hFE)200@2mA,5V
特征频率(fT)150MHz
集电极截止电流(Icbo)15nA
集射极饱和电压(VCE(sat))650mV
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)5V

BC556BBK 产品概述

一、产品简介

BC556BBK 是 DIOTEC(德欧泰克)推出的一款 PNP 小信号三极管,采用 TO-92 塑封封装,适用于低电流放大与通用开关场合。器件具有较高的直流电流增益、较低的集电极漏电流和较好的高频特性,适合音频前级、传感器接口和小功率驱动等应用。

二、主要参数

  • 晶体管类型:PNP
  • 集电极电流(Ic):最大 100 mA
  • 集—射击穿电压(Vceo):65 V
  • 耗散功率(Pd):500 mW(TO-92,环境散热有限)
  • 直流电流增益(hFE):≈200(典型 @ Ic=2 mA, Vce=5 V)
  • 特征频率(fT):≈150 MHz
  • 集电极截止电流(Icbo):典型 15 nA(低漏电有利高阻电路)
  • 集—射极饱和电压(VCE(sat)):约 650 mV(在规定的电流/基流条件下)
  • 射极—基极击穿电压(Vebo):5 V(切勿反向过压)
  • 工作温度范围:-55 ℃ 到 +150 ℃
  • 封装:TO-92(塑料三脚)

三、关键特性解读

  1. 高频性能:fT≈150 MHz 表明在小信号放大及频率响应要求较高的电路中能保持良好增益,适合宽带放大与射频前端应用(注意功率与线性限制)。
  2. 高增益与低漏电:hFE≈200 与 Icbo≈15 nA 使其在低电流偏置的放大电路中可获得较高增益与较小偏置误差,适合音频前置放大器和传感器放大。
  3. 中等电压能力与功率限制:Vceo=65 V 给予较宽的电源余量,但 Pd=500 mW 意味着在集电极电流接近额定时需要注意热量管理和降额设计。
  4. 开关特性:VCE(sat)≈650 mV 在小功率开关中可接受,但不是低饱和类型,不推荐用于要求极低压降的开关电路。

四、典型应用场景

  • 音频前级放大与小信号放大器
  • 传感器信号调理(温度、光电、压力等)
  • 低功耗逻辑电平转换与小电流开关
  • 增益级/差分对中的 PNP 补偿元件
  • 教学与原型验证中的通用器件替代选择

五、设计与使用建议

  • 热管理:在高 Ic 条件下应评估结到散热体的温度升高,必要时在 PCB 上增加铜箔散热或限制占空比;参考厂商的温度降额曲线进行功率降额。
  • 基极保护:Vebo 标称 5 V,禁止对基极—射极反向施加超过该值的电压,建议在输入端加保护二极管或限流电阻以防 E-B 反向击穿。
  • 偏置与稳定性:高 hFE 在低电流下可能引入偏置漂移,建议在精密放大器中配合负反馈或采用温度补偿网络。
  • 引脚与封装:TO-92 为通用直插封装,具体引脚排列请以器件数据手册为准(不同生产批次或厂商封装针脚可能不同)。

六、选型对比与替代

当需要更高电流或更低 VCE(sat) 时,应选择功率更高或低饱和类别的晶体管;若噪声是关键指标,可考虑专用低噪声 PNP 器件。BC556BBK 的优势在于高增益、低漏电和良好的频率响应,适合中小信号场合。

七、注意事项

  • 请严格遵循数据手册的最大额定值;长期可靠性设计应参照温度降额系数。
  • 焊接时注意封装耐温与应力,避免超过允许的回流/手工焊接温度规范。
  • ESD 防护:静电敏感,存放和装配需做好防静电措施。

BC556BBK 适合要求高增益、低漏电且功率不大的通用小信号 PNP 场合,合理的热设计与电压保护可保证长期稳定运行。更多详细电气特性、引脚图和测试条件建议查阅 DIOTEC 官方数据手册。