BC859C 产品概述

一、产品简介

BC859C 是由 DIOTEC（德欧泰克）提供的一款低功耗、小信号 PNP 晶体管，适用于通用放大与开关场合。器件采用 SOT-23-3（TO-236-3）小型贴片封装，额定集电极电流 100mA，集射极击穿电压 Vceo 为 30V，器件耗散功率为 250mW，适合紧凑型电路板和便携设备的信号处理及偏置电路。

二、主要参数（关键规格）

• 晶体管类型：PNP
• 最大集电极电流 Ic：100 mA
• 集—射极击穿电压 Vceo：30 V
• 最大耗散功率 Pd：250 mW（散热条件依数据手册）
• 直流电流增益 hFE：420 @ Ic=2 mA, VCE=5 V（C 等级）
• 特征频率 fT：100 MHz（适用于高频小信号放大）
• 集电极截止电流 Icbo：15 nA（低漏电流）
• 集电极饱和电压 VCE(sat)：约 650 mV（典型值）
• 射—基极击穿电压 Vebo：5 V
• 工作结温范围：-55 ℃ ～ +150 ℃（Tj）

三、重要特性与优势

• 高增益：在低电流工作点（2 mA）下 hFE 可达 420，便于在偏流较小的情形下实现较大放大倍数，适合低功耗前置放大器与信号放大模块。
• 高频性能好：fT ≈ 100 MHz，支持高带宽的小信号放大与快速开关应用。
• 低漏电：Icbo 仅 15 nA，适合对静态漏电敏感的电路，如低频差分放大器与测量前端。
• 小型封装：SOT-23-3 体积小，适合表面贴装工艺，利于高密度电路设计与自动化装配。

四、典型应用场景

• 低功耗放大器与前置放大电路（模拟信号放大）
• 通用开关与驱动电路（小电流切换）
• 电平移位、偏置与电流镜电路
• 高频小信号处理与射频前端的某些低功率段
• 工业与消费类电子中需要小尺寸、高增益的信号元件场合

五、使用建议与注意事项

• 注意基极-射极击穿（Vebo=5V），避免在测试或应用中直接施加过高反向基-射电压。
• 在开关应用中，为防止基区过流，应配置适当的限流电阻，特别是在饱和导通时。
• 器件耗散功率为 250 mW，SOT-23 封装散热能力有限；在连续高功率或高环境温度下应考虑散热设计或选择更大功率的器件。
• VCE(sat) 在饱和时约为 650 mV（典型），在需要更低饱和压降的场合需评估对电路性能的影响。
• 生产与调试过程中注意静电防护（ESD），以免损伤晶体管结。

六、封装与安装

BC859C 提供 SOT-23-3 小型贴片封装，适合回流焊及自动贴装流程。封装节省电路板面积，适用于便携与高密度电路。装配时注意焊盘设计与热扩散，以保证器件在允许耗散功率范围内工作。

七、可靠性与质量参考

DIOTEC 出品的 BC859C 面向工业级与消费级应用，工作结温范围宽（-55 ℃ 至 +150 ℃），在正确的热管理与偏置条件下可提供稳定的长期性能。为获得最高可靠性，建议参考制造商完整数据手册中的 SOA、热阻、极限参数与测试条件。

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