ESD56241D22-3/TR 产品概述

一、产品简介

ESD56241D22-3/TR 是 WILLSEMI（韦尔）推出的一款单路单向 TVS（瞬态电压抑制）二极管，采用 DFN2x2-3L 小型表贴封装，专为承受工业级浪涌和静电放电事件设计。该器件满足 IEC 61000-4-5 防护等级，能够在 8/20 μs 浪涌波形下提供高达 130 A 的峰值脉冲电流和 4.5 kW 的峰值脉冲功率，适合电源输入、工业控制与通信接口等需要浪涌保护的场合。

二、核心电气参数

• 极性：单向（Unidirectional）
• 反向工作电压 Vrwm：22 V
• 击穿电压 Vbr：25 V（典型）
• 钳位电压 Vc：38 V（在 8/20 μs、Ipp=130 A 条件下）
• 峰值脉冲电流 Ipp：130 A @ 8/20 μs
• 峰值脉冲功率 Ppp：4.5 kW @ 8/20 μs
• 反向漏电流 Ir：100 nA（常温）
• 结电容 Cj：900 pF
• 通道数：单路
• 工作温度范围：-40 ℃ ~ +85 ℃
• 防护标准：符合 IEC 61000-4-5
• 封装：DFN2x2-3L（小型 SMD）
• 品牌：WILLSEMI（韦尔）
• 型号：ESD56241D22-3/TR

三、主要性能亮点

• 高浪涌承受能力：在标准 8/20 μs 浪涌测试波形下，ESD56241D22-3/TR 能承受 130 A 峰值脉冲电流并将瞬态能量限制在安全电压范围内，适合直接保护电源线和高能冲击源。
• 有效钳位：在大浪涌时钳位电压约 38 V（典型），能将瞬态电压限制，保护下游器件免受过压损害。
• 低漏电流：反向漏电仅约 100 nA，适合对静态功耗敏感的应用。
• 小型封装：DFN2x2-3L 占板面积小，便于对空间受限的电子产品进行表面贴装保护。
• 工业级温度范围：-40 ℃ 到 +85 ℃，满足多数工业和民用场景的温度需求。

四、适用场景与推荐应用

• 工业电源输入保护（尤其是 12 V ~ 24 V 系统的输入端防浪涌）
• 电源适配器与开关电源初级或次级防护
• 通信基站、远程终端单元（RTU）及 PLC 的电源与接口保护
• 家电与楼宇自动化中的浪涌抑制点
• 非高速数据线的 EMI / ESD 保护（注意结电容较大，见下文）

五、设计与布局建议

• 引脚与散热：DFN2x2-3L 具备中心焊盘或接地焊盘，建议将中心焊盘可靠焊接并与系统地（GND）良好连接，以确保最佳浪涌能量分散与热流输出。
• 布线最短化：将 TVS 与被保护的电源/信号引脚之间走线尽可能缩短，以降低串阻和感抗，从而提高钳制效率。
• 地回流路径：为保证吸收大电流时的性能，PCB 上应提供低阻抗、宽回流路径到系统接地，必要时使用多层过孔加固散热和电流路径。
• 焊接工艺：按行业通用回流焊温度曲线进行焊接，避免超出厂商推荐的温度峰值，以免影响器件特性与可靠性。
• 结电容考量：器件结电容约 900 pF，信息传输或高速信号线若对带宽敏感（如 USB/高速串行总线）不建议直接使用；该特性适合电源线、低速 IO 或对滤波有利的场合。

六、可靠性与符合性

ESD56241D22-3/TR 已按 IEC 61000-4-5 定义的浪涌测试进行设计与验证，能满足工业级浪涌保护要求。工作温度范围及低漏电流使其在长期工作中保持稳定性能。为确保长期可靠性，建议在系统级通过实际环境测试（温度循环、功率循环、浪涌重复测试）验证整体保护方案。

七、封装与订购信息

• 封装形式：DFN2x2-3L，便于自动化贴装与高密度 PCB 设计
• 备注：订货型号 ESD56241D22-3/TR，具体包装卷盘尺寸与出货管控请参考 WILLSEMI 官方数据手册与订购信息

八、结论

ESD56241D22-3/TR 是一款面向工业电源与低频接口的高能浪涌保护 TVS 器件，其 130 A/8/20 μs 的抗浪涌能力、38 V 的钳位表现以及 DFN2x2 小封装，使其在空间受限的电源入口与工业设备中具有较高的实用性。设计时需注意其较大的结电容对高速信号的影响，并在 PCB 布局、接地与散热方面采取相应优化措施，以发挥最佳保护效果。

如需进一步的原理图封装建议、PCB 垫形状（land pattern）或回流焊曲线，可基于 WILLSEMI 数据手册获取详细参考并进行样机验证。