4N25 产品概述

一、产品简介

4N25 是一款基于光电耦合隔离的双向器件，UMW（友台半导体）出品的 DIP-6 封装型号，输入为发光二极管（LED）、输出为光电三极管。器件通过光耦合实现输入与输出电路的电气隔离，常用于信号隔离、接口电平转换与噪声抑制场合。工作温度范围宽 (-55℃～+110℃)，适用于工业级环境。

二、主要电气参数

• 隔离电压（Vrms）：5 kV（加强绝缘、用于高压与低压电路间的安全隔离）
• 电流传输比（CTR）：最小 20%（资料中最大/饱和值亦标注为 20%）
• 输入类型：DC（LED）
• LED 正向压降（Vf）：约 1.24 V（在规定 If 条件下测量）
• LED 直流反向耐压（Vr）：6 V（反向电压切勿超过此值）
• 正向电流（If）：最大 50 mA（建议设计时按额定值降额使用）
• 输出类型：光电三极管
• 集-射极饱和电压（VCE(sat)）：≤ 500 mV（测试条件：If=50 mA，IC=2 mA）
• 输出电流（IC）最大值：80 mA
• 允许集电极-发射极电压/负载电压：80 V
• 总功耗（Pd）：200 mW
• 工作温度：-55℃ ～ +110℃
• 封装：DIP-6

三、典型应用场景

• MCU 与高电压电路之间的信号隔离（开关量输入/输出）
• 开关电源反馈隔离（但需注意速度与 CTR 要求）
• 工业控制、继电器驱动、传感器接口的干扰隔离与保护
• 测量仪器中低电平信号与高压部分的安全隔离

四、使用与电路设计注意事项

• LED 侧需串联限流电阻，按 Vf 与 If 计算，避免超过 If=50 mA。
• 避免对 LED 施加超过 Vr=6 V 的反向电压，必要时并联反向保护二极管。
• 输出侧集电极电流不得长期超过 80 mA，总功耗 Pd=200 mW 需考虑封装散热，必要时降额使用或外加散热措施。
• VCE(sat) 标称为 500 mV（测试条件下），实际饱和电压随 If、IC 与温度变化，设计时保留裕量。
• CTR 受温度、波长、老化与工作点影响较大，若系统依赖精确增益应做好校准或选择 CTR 更稳定的型号。
• 若需要更快响应或更高增益，可考虑光隔离器的高速型或带达林顿/光电晶体管/光电MOSFET 等替代品。

五、封装与布局建议

DIP-6 封装便于插装与焊接，PCB 布局时应保证输入与输出之间的爬电距离与绝缘间隙满足系统安全标准。尽量将敏感模拟或高速信号线远离高压侧和电源噪声源，并在接地与屏蔽上做好分区处理。

六、选型与替代

当需要更高隔离电压、更高 CTR 或更快响应速度时，可比较其他光耦型号或考虑使用光电隔离器模块。若项目对品牌或一致性有要求，可向 UMW 索取完整数据手册与样品以做验证。

总结：UMW 4N25 是一款常见的通用光电三极管光耦，适用于多种隔离场合，设计时应关注 CTR、If、IC 与热功耗等关键参数以保证可靠运行。