型号:

SMBJ6.0A

品牌:TWGMC(台湾迪嘉)
封装:SMB
批次:25+
包装:圆盘
重量:-
其他:
-
SMBJ6.0A 产品实物图片
SMBJ6.0A 一小时发货
描述:瞬态抑制二极管 ESD抑制器/TVS二极管 SMB 10.3V 58.3A
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.118
3000+
0.104
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)6V
钳位电压10.3V
峰值脉冲电流(Ipp)58.3A@10/1000us
峰值脉冲功率(Ppp)600W@10/1000us
击穿电压7.37V
反向电流(Ir)800uA
工作温度-65℃~+150℃
类型TVS
Cj-结电容390pF

SMBJ6.0A 瞬态抑制二极管(TVS)产品概述

本产品为TWGMC(台湾迪嘉)出品的SMBJ6.0A单向TVS瞬态抑制二极管,采用SMB封装,专为瞬态过电压(如雷击浪涌、开关瞬变和静电放电)提供高能量冲击保护。器件针对6V工作电压系统设计,在工业、通信、消费类电子及汽车电源/信号防护等场景中表现优异。

一、主要参数一览

  • 钳位电压(VC,典型):10.3 V
  • 工作温度:-65 ℃ ~ +150 ℃
  • 击穿电压(VBR):7.37 V
  • 反向截止电压(Vrwm,稳态耐压):6 V
  • 峰值脉冲功率(Ppp,10/1000 μs 波形):600 W
  • 峰值脉冲电流(Ipp,10/1000 μs):58.3 A
  • 结电容(Cj,典型):390 pF
  • 反向泄漏电流(Ir,典型):800 μA(在 Vrwm 条件下)
  • 极性:单向(Unidirectional)
  • 类型:TVS 瞬态抑制二极管
  • 封装:SMB(适用于回流焊工艺)
  • 品牌:TWGMC(台湾迪嘉)

二、核心特点与优势

  • 高能量吸收能力:在10/1000 μs标准测试波形下可承受600W峰值脉冲功率,能有效吸收雷电浪涌与开关过电压能量。
  • 低钳位电压:典型钳位电压10.3V,能在瞬态事件发生时将被保护线上的电压钳制在较低值,减少后端器件受损风险。
  • 宽工作温度:-65 ℃ 至 +150 ℃,适合严苛环境与工业级应用。
  • 单向结构:适合对直流电源轨(正极对地)的保护,响应快、耗散能力强。
  • SMB封装:兼顾功率处理与可装配性,适应主流SMT生产线。

三、典型应用场景

  • 5V/6V 电源轨的浪涌保护(如嵌入式控制器、通信设备、工控模块)
  • USB、串口等接口的防护(对静电及快速瞬变具良好抑制能力)
  • 电源模块、DC-DC转换器输入端的浪涌钳制
  • 工业控制器、楼宇自控、仪器仪表等对雷击和开关过电压敏感的设备
  • 需要高能量吸收且空间容许的电路板保护点

四、使用建议与注意事项

  • 布局建议:将TVS尽量靠近需要保护的端口或器件布置,缩短走线长度,增大地平面和焊盘铜箔面积以提升散热与能量吸收能力。
  • 极性接法:作为单向TVS时,将器件阴极接地(或系统负极),阳极接被保护线;确保在正常工作下处于反向偏置(Vrwm)。
  • 泄漏电流考量:在Vrwm下典型反向泄漏800 μA,若用于超低功耗或电池供电的前端电路,应评估此泄漏对整体耗电的影响。
  • 热与冲击能力:虽然器件具备较高脉冲承受能力,但在重复、频繁的高能冲击下应做好散热设计或采用更高功率等级器件;尽量避免超过标准测试波形下的额定Ipp与Ppp。
  • 环境可靠性:如长期高温工作,反向漏电与击穿特性可能随温度上升而改变,建议在最终产品验证阶段进行温度循环与寿命测试。

五、典型电路接法(说明)

  • 单向保护:在被保护线路与地之间并联放置TVS,常见于电源入口、数据接口电源端。正常工作时为反向偏置,瞬态过电压时导通将尖峰能量导入地。
  • 与熔断器/限流元件配合:为提高整体可靠性,可在保护线上串联熔断器或限流器,防止极端情况下的器件过热或二次破坏。

六、品质与包装说明

  • 封装形式:SMB(适配表面贴装工艺);适合自动贴片与回流焊流程。
  • 品牌保障:TWGMC(台湾迪嘉)具备成熟的TVS元件生产与测试经验,产品适配工业级可靠性要求。
  • 使用前请参阅详细数据手册,确认击穿测试条件、最大功率脉冲曲线及包装信息。

此款SMBJ6.0A以其高能量吸收、低钳位电压与宽温度特性,适合对6V级电源和接口进行可靠的瞬态防护。在设计时综合考虑泄漏电流、PCB散热与器件布局,可获得良好的防护效果与长期稳定性。若需更详细的电气特性曲线或封装机械图纸,请提供具体需求以便获取完整数据手册。