型号:

BC846A

品牌:TWGMC(台湾迪嘉)
封装:SOT-23
批次:24+
包装:圆盘
重量:-
其他:
BC846A 产品实物图片
BC846A 一小时发货
描述:SOT-23
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0347
3000+
0.0275
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)65V
耗散功率(Pd)300mW
直流电流增益(hFE)110@2mA,5V
特征频率(fT)300MHz
集电极截止电流(Icbo)15nA
集射极饱和电压(VCE(sat))250mV
工作温度-65℃~+150℃

BC846A 概述(TWGMC,SOT-23)

BC846A 为一款小信号 NPN 晶体管,面向通用放大与开关应用,采用经济型 SOT-23 贴片封装。器件在低电流工作点具有良好的电流增益与噪声性能,同时具备较高的击穿电压和快速的频率响应,适合便携式与消费电子等空间受限的电路设计。

一、主要特点

  • 晶体管类型:NPN,小信号三极管。
  • 最大集电极电流 Ic:100 mA(短时间开关允许值,连续工作需按散热限制)。
  • 集—射极击穿电压 Vceo:65 V,适用于中等电压应用。
  • 直流电流增益 hFE:约 110(在 Ic=2 mA、Vce=5 V 条件下典型值),低电流放大能力良好。
  • 特征频率 fT:300 MHz,适合高频放大与缓冲应用。
  • 集电极截止电流 Icbo:典型 15 nA,漏电流低,有利于高阻节点稳定性。
  • 集—射极饱和电压 VCE(sat):约 250 mV(低饱和压,适合开关导通状态)。
  • 功耗 Pd:300 mW(SOT-23 封装,在规定环境下的最大耗散)。
  • 工作温度范围:-65 ℃ 至 +150 ℃,符合宽温应用需求。

二、电气性能要点

  • 在小信号放大(几百微安至几毫安)条件下,hFE 稳定且噪声低,适合前级放大或电压放大器。
  • fT=300 MHz 表明在 VHF 级别仍能保持增益,适合高频缓冲或频率合成器中的低功率放大。
  • Icbo 低,便于在高阻抗偏置网络中减少漏电对偏置点的影响。
  • VCE(sat) 250 mV 有利于降低开关导通损耗,但实际值与基极驱动电流有关。

三、封装与热管理

  • 封装:SOT-23,三引脚,适合集成化 SMT 生产。
  • 最大耗散 300 mW 在无额外散热的 PCB 上需谨慎使用,建议提高铜箔面积或在地平面上加热散热槽以降低结-环境温升。
  • 在高 Ic 或连续开关工作下,应评估结温,保证不超过额定工作温度范围。

四、典型应用

  • 小信号放大器:前置放大、音频前级、传感器放大。
  • 开关驱动:低电压逻辑接口、继电器/小型负载驱动(在电流与功耗限制内)。
  • 高频缓冲:增益级、射频混频前置缓冲(低功率)。
  • 通用信号处理:电平转换、放大/开关混合电路。

五、设计与使用建议

  • 若工作电流接近 Ic 极限或频繁开关,务必在 PCB 上提供更大散热铜箔,或并联使用限流手段。
  • 在开关应用中,确保基极有适当的限流电阻与缓冲,避免基极过驱导致器件损坏。
  • 高阻偏置网络中,可利用其低 Icbo 优势,但需注意温度对漏电流的影响。
  • 在射频路径使用时,注意封装寄生电容与引线电感对高频响应的影响,必要时做阻抗匹配。

六、选型与替代

  • BC846A 适合需要中等电压耐受且注重小信号性能的场合。若需更高电流或更高功耗能力,可选择更大封装或功率型 NPN 管;若追求更低噪声或更高 fT,可选专用射频器件。
  • 选购时请确认品牌与批次一致,以确保 hFE、Icbo 等参数稳定。

七、储存与焊接

  • 遵循 SOT-23 常规 SMT 流程,回流焊曲线参考无铅焊标准。
  • 储存于干燥环境,避免潮气与静电损伤,出厂文件如有 ESD 等级请一并参考。

以上为 BC846A(TWGMC,SOT-23)关键参数与应用指引,便于在设计初期进行选型与热、电性能评估。如需基于具体电路的偏置计算或 PCB 散热布局建议,可提供电路工作点以便进一步优化。