型号:

BAS16

品牌:TWGMC(台湾迪嘉)
封装:SOT-23
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
BAS16 产品实物图片
BAS16 一小时发货
描述:SOT-23
库存数量
库存:
3981
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0381
3000+
0.0302
产品参数
属性参数值
二极管配置独立式
正向压降(Vf)1.25V@150mA
直流反向耐压(Vr)85V
整流电流215mA
耗散功率(Pd)350mW
反向电流(Ir)1uA
反向恢复时间(Trr)4ns
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)4A

BAS16 产品概述(TWGMC / SOT-23)

BAS16 是一款面向小信号开关与低功率整流场合的快速恢复二极管。该型号由台湾品牌 TWGMC(台湾迪嘉)提供,采用 SOT-23 小外形封装,适合空间与成本受限的表贴应用。器件在 85V 反向耐压下保持极低的反向电流与较快的反向恢复时间,使其在高频开关、脉冲处理和信号整形电路中具有良好的应用价值。

一、主要参数速览

  • 封装:SOT-23
  • 正向压降:Vf = 1.25 V @ If = 150 mA
  • 额定直流整流电流:If (平均) = 215 mA
  • 直流反向耐压:Vr = 85 V
  • 反向电流:Ir ≈ 1 μA(典型/最大量级,随温度上升)
  • 反向恢复时间:Trr = 4 ns(快速恢复)
  • 非重复峰值浪涌电流:Ifsm = 4 A(短脉冲、非重复)
  • 最大功耗(耗散):Pd = 350 mW

二、器件特点与优势

  • 小封装(SOT-23):占板面积小,适合空间受限或多通道器件布局。
  • 高耐压:85V 的反向耐压可应对较高电压的信号路径或保护线路。
  • 低反向漏电:1 μA 级别的反向电流有利于高阻抗或采样电路中的漏泄抑制。
  • 快速恢复:4 ns 的 Trr 适合高频开关与脉冲应用,减少反向恢复产生的干扰与损耗。
  • 良好的浪涌抑制能力:4 A 的峰值浪涌电流能承受短时脉冲冲击(需遵守频率和能量限制)。

三、典型应用场景

  • 开关电源中小信号快速整流与钳位(例如高频开关器件的二次侧钳位)。
  • 高频脉冲或通讯电路中的信号整形、反向保护与耦合回路。
  • 守护/防反接电路、限幅器与混频/检波电路(在电流需求较低的场合)。
  • 自动化和测试设备中作为快速恢复二极管用于脉冲路径或保护元件。

四、设计与使用建议

  • 功耗与电流限制:器件最大耗散功率 Pd = 350 mW。按 Vf≈1.25 V 估算,理论上 Pd/Vf ≈ 280 mA,但长期可靠运行应按厂家给出的平均整流电流 If=215 mA 为参考值进行设计,留有安全裕量。
  • 温度与漏电:反向电流 Ir 会随结温升高显著增加,工作环境高温时需做好降额处理或采用热设计以避免漏电影响电路性能。
  • 浪涌与脉冲:Ifsm = 4 A 表示短脉冲能承受较大峰值,但该能力是非重复、短时的。频繁或高能量冲击会造成器件损伤,应使用限流或吸收电路(RC、TVS)保护。
  • 高速开关:4 ns 的 Trr 使器件适合高频应用,但同样要注意开关过程产生的电磁干扰(EMI),在布局中尽量缩短信号回路的回流路径并采用合适的旁路及去耦。

五、封装与焊接注意

  • SOT-23 为常见三脚小外形封装,适合回流焊工艺。焊接时遵循厂商推荐的热工曲线,避免超温或长时间高温导致封装应力。
  • PCB 设计上应优化铜箔散热与焊盘大小:对小功率器件,可适当增大焊盘铜量以改善散热,但要避免过大热质量导致焊接缺陷。
  • 操作与储存需注意静电防护(ESD),尤其是高速小信号器件对静电敏感。

六、选型与替代考虑

  • 若应用需要更大持续电流或更低正向压降,应选用额定电流或功耗更高的封装与型号(例如 SOD-123、SOD-523 或 DO-214 等更大封装)。
  • 若目标为超高速或超低反向恢复电荷的场合,可考虑专用的快速恢复或肖特基二极管,但肖特基通常正向压降更低但耐压较低,需在耐压与正向压降之间权衡。
  • 对于温度较高或要求极低漏电的 precision 应用,需参考完整数据表中温度依赖特性并进行实际测评。

结论:TWGMC 的 BAS16(SOT-23)在 85V 耐压、低漏电、4 ns 快速恢复与小封装方面表现平衡,适用于中高频小电流整流、信号整形及保护场合。设计时应结合最大耗散、平均整流电流与温度特性进行合理的降额及热设计,以保证可靠性与长期稳定运行。