74HC245MT/TR 产品概述

74HC245MT/TR（华冠 HGSEMI）是一款高性能的八位双向总线收发器，采用74系列HC工艺制造，提供三态输出控制与方向选择功能，适用于微处理器系统、总线隔离、收发缓冲等场景。器件工作电压宽（2V~6V），低静态电流与较快的传播延迟，使其在低功耗与高速切换之间取得良好平衡。

一、主要特性

• 输出类型：三态（Tri‑state），便于总线共享与多主结构设计。
• 位数：每个元件8位（八通道）。
• 通道类型：双向收发（方向可控）。
• 工作电压：2.0V ~ 6.0V，兼容多种逻辑电平系统（在相同VCC下工作）。
• 工作温度：-40℃ ~ +85℃（工业级温度范围）。
• 静态电流（Iq）：典型 8 μA（低静态功耗，适合电池供电系统）。
• 输出能力：IOH / IOL = 6 mA（高/低电平驱动电流）。
• 传播延迟（tpd）：9 ns @ VCC = 4.5V，CL = 50 pF（快速响应，适合中高频总线）。
• 封装：TSSOP-20，适合表贴工艺，节省PCB面积。
• 品牌：HGSEMI（华冠）。

二、功能描述

74HC245为双向八位总线收发器，通常具有以下控制引脚：

• 方向控制（DIR）：选择数据在A与B总线之间的传输方向。
• 输出使能（OE，通常为低有效/）: 控制器件输出进入高阻态，从而允许总线上其他器件驱动信号。

当使能有效时（OE允许输出），DIR选择相应方向完成数据传输；当OE禁能时，A侧与B侧均进入高阻态，实现总线三态隔离。该器件常用于总线隔离、数据缓冲、主从切换和短时总线共享等应用场景。

三、电气参数要点（概要）

• 供电电压范围宽（2~6V），能在多种电平下稳定工作，但注意器件两侧总线信号须以相同VCC为参考，非推荐作为单端电平移位器。
• 低静态电流（8 μA）适合低功耗设计。
• 输出驱动能力（6 mA）满足一般逻辑负载和小驱动要求，但不适合直接驱动大电流负载或长距离传输时的重载。
• 传播延迟9 ns（在4.5V、50 pF），在常见总线速率下可提供充分的时序裕量。
• 工作温度-40℃至+85℃，支持工业级应用。

（注：以上为关键参数汇总，详细电气特性如输入阈值、上升/下降时间、功耗随温度的变化等，请参考官方完整数据手册以满足具体设计要求。）

四、典型应用场景

• 微处理器与外设间的八位数据总线缓冲和隔离。
• 多主总线系统中用于实现瞬时总线释放（通过三态输出实现）。
• I/O 扩展模块或数据采集系统中的八位并行接口。
• 需要在相同电源下实现短距离总线驱动、时序整形与干扰隔离的场合。
• 总线故障隔离：当一侧设备故障时可通过使能控制将其从总线断开。

五、使用建议与注意事项

• 去耦电容：在VCC与GND之间靠近器件放置0.1 μF陶瓷去耦电容，以抑制瞬态电流和阻止电源噪声影响时序。
• 总线驱动冲突：避免同时有多个收发器在相同总线上处于驱动状态；使用OE与DIR进行严格控制。
• 电平匹配：虽然器件支持2~6V供电，但不是双电源电平位移器；若需在5V系统与3.3V系统间移位，应采用专用电平移位器或确保两侧器件在相同VCC下工作。
• 热与布局：TSSOP-20封装散热能力有限，在高环境温度或大并联负载下注意布局与散热；长线路或重负载时需评估功耗与温升。
• ESD与焊接：遵循常规静电影响预防措施，焊接时注意封装耐温与回流曲线。

六、封装与采购信息

• 封装形式：TSSOP-20，适合表面贴装自动化装配；外形小巧便于高密度设计。
• 型号示例：74HC245MT/TR（HGSEMI / 华冠）——“MT”或“TR”通常表示卷带包装（Tape & Reel）或其他封装标识，采购时请核对包装单位与制造商完整料号。
• 建议在批量采购前索取并核对华冠官方数据手册与器件真实样品，以确认引脚定义、电气特性及封装尺寸满足具体设计需求。

总结：74HC245MT/TR（华冠）是一款通用性强、低功耗、支持三态与双向传输的八位总线收发器，适用于各种并行总线隔离与缓冲场景。合理使用控制引脚与注意电源去耦与热管理，可在嵌入式与工业系统中稳定发挥作用。