LM339N 四路比较器（HGSEMI 华冠，DIP-14）产品概述

一、产品简介

LM339N 是一款四路电压比较器，华冠（HGSEMI）生产的该型号采用 DIP-14 封装，适合通用型测量与控制电路。器件设计为开集电极输出，兼容 TTL 与 CMOS 逻辑电平，通过简单外部元件即可完成门限检测、窗口比较、欠压保护等功能。

二、主要特性

• 比较器数量：四路（四个独立通道）
• 电源范围：单电源 3V ～ 32V；双电源（Vee ~ Vcc）1.5V ～ 16V；或 -16V ～ -1.5V
• 最大电源宽度（Vdd - Vss）：36V
• 传播延迟（tpd）：1.3 μs（典型）
• 输入失调电压（Vos）：2 mV（典型）
• 输入偏置电流（Ib）：25 nA
• 输入失调电流（Ios）：5 nA
• 静态电流（Iq）：800 μA（器件静态工作电流）
• 输出模式：开集电极，兼容 TTL / CMOS 负载
• 工作温度：0 ℃ ～ +70 ℃
• 封装：DIP-14（通孔）

三、电气性能说明

LM339N 在低输入偏置和低失调电压方面表现良好，适合对阈值有一定精度要求的比较场合。开集电极输出需要外接上拉电阻，以决定输出电平与响应速度；上拉电阻越小，开关速度越快但功耗和负载增加。器件静态电流约 800 μA，可用于低功耗设计的权衡评估。注意总电源电压不能超过 36V，单/双电源工作方式灵活选择。

四、典型应用场景

• 电平检测与门限比较（如电池电压监测）
• PWM 与脉宽调制比较基准电路
• 窗口比较与多路阈值检测
• A/D 转换器前端比较器或参考电平比较
• 工业控制、温度/压力报警等模拟信号监测场合

五、封装与实用提示

DIP-14 通孔封装便于面包板或 PCB 手工搭建与调试，适合实验与小批量生产。使用时需注意：

• 输出为开集电极，必须加上拉电阻；对直接驱动 TTL/CMOS 输入可选 4.7k～10k Ω。
• 输入端需避免超过电源轨的电压（必要时加限流或钳位保护）。
• 对快速边沿或抗干扰要求高的场景，应在输入端或反馈回路中加滞回（正反馈）以防抖动。
• 工作温度范围为 0 ～ 70 ℃，工业级应用请确认温度余量或选择更高等级器件。

六、设计建议

由于器件传播延迟约 1.3 μs，不适合要求亚微秒级响应的高速比较。对于低速、低功耗且要求多路比较的应用，LM339N 提供了成本与性能的平衡。布线时注意模拟地与数字地分离，减少共地噪声对比较点的影响。总之，合理选择上拉阻值、必要的输入保护和滞回设计，能最大化 LM339N 在门限检测与监控电路中的可靠性与稳定性。