ESD5471Z-2/TR 产品概述

一、概述

ESD5471Z-2/TR（WILLSEMI）为单路双向瞬态电压抑制器（TVS），专为静电放电（ESD）和浪涌保护设计。器件采用微型 DFN0603-2L 封装，工作温度范围 -40℃ 至 +85℃，适用于空间受限的接口保护场景。

二、主要电气参数

• 极性：双向
• 反向截止电压（Vrwm）：5 V
• 击穿电压：5.1 V
• 钳位电压：12 V（典型）
• 峰值脉冲电流 Ipp：9 A @ 8/20 μs
• 峰值脉冲功率 Ppp：70 W @ 8/20 μs
• 反向电流 Ir：1 μA（常态）
• 结电容 Cj：9 pF

三、主要特点

• 小尺寸封装（DFN0603-2L），便于高密度布板与自动化贴装
• 低电容（9 pF），对高速数据信号影响小，适合保护高速接口
• 双向结构，可在双极性信号或差分线上工作
• 低漏电流，适用于对待机功耗敏感的系统
• 满足 IEC 61000-4-2/4-4/4-5 等电磁兼容与抗扰度测试要求

四、典型应用

适用于 USB、HDMI、音频接口、串行通讯（如 UART、I2C、SDA/SCL 较低电压场合）、消费电子设备接口、工业控制终端及其他需对 5V 级别线路进行 ESD/浪涌保护的场景。

五、封装与布局建议

• 封装：DFN0603-2L，适合自动贴装；请参考厂方封装坐标完成 PCB 设计。
• 布局：将器件放置于被保护器件与外部连接器之间，靠近连接器端点，尽量缩短到端口的走线并采用大地平面以降低环路电感。对双向器件无需外接极性约束。

六、选型与使用注意

• 若保护高速接口，优先考虑结电容对信号完整性的影响（9 pF 在多数 USB/TTL 信号可接受）。
• 检查系统允许的最大钳位电压（12 V）是否对下游器件安全；对于更苛刻的钳位要求，需选用更低钳位的器件或级联保护。
• 峰值规范（Ipp、Ppp）用于评价单次浪涌承受能力，若系统可能遭受更大能量冲击，应评估级联或更高功率器件。

七、可靠性与认证

该器件满足 IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4 和 IEC 61000-4-5 等抗扰度测试规范，能在常见静电和浪涌事件中提供有效保护。建议在实际应用中结合系统级防护策略（滤波、熔断、分流等）以提高整机可靠性。