型号:

PJA3402_R1_00001

品牌:PANJIT(强茂)
封装:SOT-23
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
PJA3402_R1_00001 产品实物图片
PJA3402_R1_00001 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.25W 30V 4.4A 1个N沟道
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3000+
0.179
产品参数
属性参数值
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.4A
导通电阻(RDS(on))37mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th))720mV@250uA
栅极电荷量(Qg)11.3nC@10V
输入电容(Ciss)447pF
反向传输电容(Crss)22pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)34pF

PJA3402_R1_00001 产品概述

PJA3402_R1_00001 是 PANJIT(强茂)出品的一颗 SOT-23 封装 N沟道场效应晶体管,面向低电压开关与功率管理应用。器件在 30V 漏源耐压下,提供较低的导通电阻与适中的开关性能,适合移动电源、负载开关、DC-DC 降压与小功率马达驱动等场景。

一、主要规格摘要

  • 类型:N沟道 MOSFET(SOT-23,单个)
  • 漏源电压 Vdss:30V
  • 连续漏极电流 Id:4.4A(注:受封装散热限制)
  • 导通电阻 RDS(on):37mΩ @ Vgs=10V
  • 最大耗散功率 Pd:1.25W(在标准测试环境下)
  • 阈值电压 Vgs(th):0.72V @ Ids=250µA
  • 总栅极电荷 Qg:11.3nC @ Vgs=10V
  • 输入电容 Ciss:447pF;输出电容 Coss:34pF;反向传输电容 Crss:22pF
  • 工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  • 封装:SOT-23

二、特性与性能要点

  • 低导通电阻:在 Vgs=10V 时 RDS(on) 为 37mΩ,可降低导通损耗,适合需要较低导通压降的低压大电流路径。
  • 适中开关能耗:总栅极电荷 Qg=11.3nC(10V)和 Ciss=447pF 表明器件在中高速开关中表现平衡,适合开关频率不是极高的降压转换器或开关场合。
  • 30V 耐压等级:可覆盖常见 12V、24V 系统的开关与保护应用。
  • 小封装 SOT-23:适合板面空间受限的便携设备,但散热能力有限,需合理 PCB 设计以提升热耗散能力。

三、典型应用场景

  • 低压 DC-DC 降压转换器(作为同期整流或开关元件,需考虑热管理与驱动)
  • 便携设备负载开关与电源切换
  • 小型直流电机/舵机驱动(低功率场景)
  • 保护电路与过流断路器(与检测电路配合)
  • 通用开关元件替换与原型开发

四、设计与使用建议

  • 驱动电压:为达到规格化的 RDS(on),建议采用 10V 门极驱动;若使用 5V 或逻辑电平驱动,应验证在该 Vgs 下的导通电阻与温升。
  • 热管理:Pd=1.25W 是在标准条件下测得,SOT-23 封装散热受限。高电流持续工作时需增大焊盘铜箔面积、使用散热层或多层 PCB 并配合过孔散热。
  • 开关噪声控制:为减少振铃与过冲,建议在门极串联小电阻(如 10–100Ω),并在必要时使用 RC 或 TVS 吸收抑制高 dv/dt。
  • 布局要点:尽量缩短源-漏回路路径、增大电流承载铜宽,漏源间采用低阻抗走线;门极走线尽量短以降低寄生电感。
  • 安全裕量:连续电流额定值受环境温度和 PCB 散热影响,选型时以实际热阻与工作温度为准,并考虑短时冲击电流能力。

五、封装与可靠性

SOT-23 小封装有利于节省空间,但限制了热耗散。器件工作温度范围宽(-55℃ 至 +150℃),适应严苛温度环境;在高温、高电流场合应评估长期可靠性并做好热仿真验证。

总结:PJA3402_R1_00001 在 30V/4.4A 等级下,提供了低 RDS(on) 与适中开关性能,适用于空间受限且需中等功率处理的开关与电源管理应用。合理的驱动、PCB 散热与抗干扰设计将显著提升其实际应用表现。