CD4070BM/TR 产品概述

一、概述

CD4070BM/TR（HGSEMI 华冠）为四路二输入异或门（Quad 2-Input Exclusive-OR），属于经典的 4000 系列 CMOS 逻辑器件。器件工作电压范围宽（3V～15V），适用于各种单电源或多电源系统，耐温范围为 -40℃ 到 +85℃，适合工业级应用与通用数字电路设计。

二、主要特性

• 逻辑类型：异或门（XOR），四通道（4 gates），每通道两输入。
• 封装：SOP-14，便于表面贴装与自动化装配。
• 工作电压：3V ～ 15V，兼容多种电平标准。
• 静态电流（Iq）：典型 60 μA（低功耗设计，静态消耗小）。
• 传播延迟（tpd）：100 ns（在 VDD=15V、Cload=50 pF 条件下）。
• 输出高电平（VOH）：约 4.95V（VDD=5V）、9.95V（VDD=10V）、14.95V（VDD=15V）。
• 输出低电平（VOL）：典型 50 mV。
• 输出拉电流（IOH）：典型 4.2 mA（高电平输出驱动能力参考值）。
• 输入阈值（逻辑高/低）：
  • VIH（需判定为高电平）：约 3.5V @ VDD=5V；7V @ VDD=10V；11V @ VDD=15V。
  • VIL（判定为低电平）：约 1.5V @ VDD=5V；3V @ VDD=10V；4V @ VDD=15V。

三、应用场景

• 数字信号比较、相等/不等检测电路。
• 奇偶校验生成/检测与数据编码/解码。
• 可编逻辑、门阵列外围逻辑、时序电路中作为组合逻辑单元使用。
• 工业控制、通信子系统、低速数据处理等要求低功耗且工作电压范围宽的场合。

四、设计与使用建议

• 电源去耦：为保证稳态与高速转换性能，建议在 VDD 与 GND 之间并接 0.01–0.1 μF 陶瓷去耦电容，贴近芯片电源脚。
• 输入不要浮空：CMOS 输入浮空会引起不确定状态与功耗上升，应通过上拉/下拉或明确驱动。
• 负载与延迟：传播延迟受输出负载电容影响明显，Cload 增大时延增加；设计时按 50 pF 条件下 tpd=100 ns 为参考。
• 电平兼容：在不同 VDD 下的 VIH/VIL 明确列出，外部接口需保证信号电平在对应阈值范围内，避免亚稳态。
• 温度与可靠性：器件工作温度 -40℃～+85℃，在极端环境下注意热管理与布局。
• ESD/工艺：表面贴装器件在搬运与焊接时注意防静电与温度曲线要求，确保良好焊接质量。

五、封装与订购信息

• 品牌：HGSEMI（华冠）
• 型号：CD4070BM/TR
• 封装：SOP-14（四路二输入 XOR，4000 系列）

CD4070BM/TR 以其宽电源范围、低静态功耗和稳定的逻辑特性，适合在通用数字电路与低速逻辑系统中替代或实现异或功能。设计时请参考上述阈值与驱动能力参数，配合合理的 PCB 布局与去耦措施以获得最佳性能。