L9110SM/TR 产品概述

一、产品概况

L9110SM/TR 是华冠（HGSEMI）推出的一款面向小型直流电机和双相步进电机驱动的高集成度芯片，封装为 SOP-8。芯片内部集成低阻抗功率 FET，便于直接驱动小型马达，适用于电池供电与便携式设备场景。器件工作电压范围宽（2.3V～12V），支持典型的微型马达电源需求，同时体积小、易于 PCB 布局。

二、主要电气参数

• 工作电压：2.3V ～ 12V
• 静态电流（Iq）：约 100 nA（极低静态功耗，适合电池供电）
• 输出电流（持续）：800 mA（单通道典型驱动能力）
• 峰值电流：1.5 A（短时冲击或启动电流承受能力）
• 工作温度：-20 ℃ ～ +80 ℃
• 封装：SOP-8（便于通用 PCB 安装）
• 集成 FET：是（内部功率 FET 降低外部器件需求）

三、核心特性与优势

1. 低静态功耗：100 nA 级静态电流显著延长电池供电系统待机时间。
2. 宽电压支持：2.3V 起即可工作，兼容常见单节锂电池及多节电池方案。
3. 集成 FET：内部功率场效应管降低外部驱动元件数量，简化电路设计。
4. 良好驱动能力：800 mA 连续输出与 1.5 A 峰值允许驱动常见微型直流电机或步进电机。
5. 小体积封装：SOP-8 有利于空间受限的消费类电子与玩具产品应用。

四、典型应用场景

• 小型直流电机驱动（玩具车、微型风扇、光驱等）
• 双相步进电机（微型定位系统、打印机、摄像头云台）
• 便携式电动工具与电动模型
• 智能家居与机器人驱动单元
• 低功耗电池供电产品中的动力驱动模块

五、可靠性与保护

L9110SM/TR 针对驱动场景做了功耗与热管理方面的考量（芯片内部常见保护设计包括短路/过流限制与热关断），配合合理 PCB 设计可保证长期可靠工作。器件在高电流冲击时需注意峰值限制与散热条件，避免持续在峰值电流下工作导致温升过高。

六、设计与使用建议

1. 电源旁路：在 VCC 与 GND 之间放置 0.1 μF 陶瓷电容并配合 10 μF 左右的电解或固态电容，抑制电机开关噪声与瞬态电压。
2. 布局走线：功率输出线尽量短、宽，减少压降与发热；将电源回流路径靠近芯片 GND 引脚布局。
3. 热管理：当驱动接近额定输出电流时，留意芯片温升，必要时增加散热铜箔或散热片。
4. PWM 控制：使用 PWM 调速时，注意 PWM 频率选择避免造成可听噪声与效率下降，一般几十 kHz 为宜（视电机特性调整）。
5. 启动冲击：电机启动瞬间电流较大，应保证电源及布线能承受 1.5 A 峰值冲击；若电源能力有限，可考虑限流或软启动方案。
6. 保护电路：若应用对可靠性要求高，建议在输出端并联适当的瞬态抑制元件与熔断/限流器件以防意外短路或负载异常。

七、小结

L9110SM/TR 以其宽电压、低静态电流与集成 FET 的特点，适合用于对体积、功耗与成本有较高要求的小型电机驱动场合。正确的电源滤波、布线与散热设计能够充分发挥其 800 mA 持续驱动与 1.5 A 峰值能力，为各类便携与嵌入式驱动应用提供稳定、经济的解决方案。如需针对具体电路的引脚说明、典型应用图或详细参数曲线，可进一步提供相应资料与原理图参考。