型号:

SL05N06Z

品牌:Slkor(萨科微)
封装:SOT-89
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
SL05N06Z 产品实物图片
SL05N06Z 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 500mW 60V 5A 1个N沟道
库存数量
库存:
1646
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.263
1000+
0.237
产品参数
属性参数值
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))58mΩ@10V;70mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)500mW
阈值电压(Vgs(th))1.7V
栅极电荷量(Qg)9nC@10V
输入电容(Ciss)400pF
反向传输电容(Crss)23pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)28pF

SL05N06Z 产品概述

SL05N06Z 是 Slkor(萨科微)推出的一款 SOT-89 封装 N 沟道场效应管,针对小功率开关与电源管理应用进行优化。器件主要参数包括:Vdss = 60V,Id = 5A,RDS(on) = 58mΩ @ VGS=10V(70mΩ @ 4.5V),最大耗散功率 Pd = 500mW,门极总电荷 Qg ≈ 9nC(@10V),输入电容 Ciss = 400pF,反向传输电容 Crss = 23pF,输出电容 Coss = 28pF,工作温度范围 -55℃ ~ +150℃,门限电压 Vgs(th) ≈ 1.7V。

一、主要性能亮点

  • 60V 耐压,适用于中等电压的开关场合。
  • 低导通电阻:58mΩ(10V 驱动)在同类 SOT-89 器件中具有较好的导通性能,能够在低压降场景减少导通损耗。
  • 小体积封装(SOT-89),适合空间受限的电源模块与功率路径设计。
  • 低门极电荷(9nC)和中等 Ciss,使其在中低频开关应用中切换损耗可控且驱动要求不高。

二、热与电流注意事项

标称连续漏极电流 5A 为器件在理想条件(如良好散热、严格的铜箔面积或基板热沉条件下)的参考值。由于 SOT-89 的热阻相对较高,实际 PCB 使用时必须严格热设计并做降额:

  • 导通损耗示例:I=2A 时 Pcond = I^2·RDS(on) ≈ 0.232W;I=5A 时 Pcond ≈ 1.45W,已远超 Pd=0.5W,所以不建议在无额外散热措施下长时间以 5A 工作。
  • 建议增大铜箔面积、使用底层散热通孔或将器件靠近金属散热块以提高散热能力,并依据器件数据手册中的 RθJA 计算允许的电流与功耗。

三、驱动与开关特性

  • Qg=9nC(@10V)表示门极驱动能量较低,例如充放电能量约为 Qg·Vgs ≈ 90nJ/次(10V 驱动),在数十到数百 kHz 的切换频率下,门极驱动功耗并不显著,但若频率更高或驱动电压更大应考虑驱动器能力及热耗。
  • Crss = 23pF 与 Coss = 28pF 决定了开关时的米勒效应与能量回收特性,设计缓冲网络或米勒电阻时应结合实际开关速度与电感环境优化。

四、典型应用场景

  • 低压侧开关管(DC-DC 降压/升压转换器低侧)
  • 电池保护与电源选择开关
  • LED 驱动与小功率电机驱动(需热管理)
  • 便携设备电源管理、电源分离与反向保护电路

五、PCB 布局与实用建议

  • 尽量缩短漏源回流路径,减小电感与电阻产生的额外损耗与电磁干扰。
  • 增大器件周围铜箔面积并考虑通过孔改善层间散热;若可能,在底层增加散热层或使用散热垫。
  • 对于开关应用,建议在门极增加一定阻值(如 10Ω–100Ω)以抑制振铃,并在漏源侧并联合适的续流二极管或 RC 吸收网络来缓冲开关过冲。
  • 严格按照系统工作温度对器件进行降额设计,保证长期可靠性。

六、总结

SL05N06Z 在 60V 电压等级下提供了较低的导通电阻与紧凑的 SOT-89 封装,适合空间受限且对导通损耗有要求的中低功率开关与电源管理应用。设计时应重点关注器件的热散能力与开关布局,并基于实际 PCB 散热条件对最大电流进行合理降额,从而发挥器件最佳性能并保证可靠性。若需更精确的热计算或电路参考,请参照厂商详细数据手册与热阻参数。