型号:

MMBT3906

品牌:Slkor(萨科微)
封装:SOT-23
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
MMBT3906 产品实物图片
MMBT3906 一小时发货
描述:三极管(BJT) 40V 200mA PNP
库存数量
库存:
5364
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0214
3000+
0.017
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
耗散功率(Pd)300mW
特征频率(fT)300MHz
集电极截止电流(Icbo)50nA
射基极击穿电压(Vebo)6V
数量1个PNP

MMBT3906(Slkor 萨科微)产品概述

一、产品概述

MMBT3906 为小信号 PNP 晶体管,封装为 SOT-23,适合表面贴装应用。该器件具备较高的特征频率与适中的电流能力,典型用于小信号放大、高速开关和高端(高侧)驱动场景。关键参数包括:集射极击穿电压 Vceo = 40V,集电极电流 Ic = 200mA,耗散功率 Pd ≈ 300mW,特征频率 fT ≈ 300MHz,基-发反向击穿 Vebo = 6V,集电极截止电流 Icbo ≈ 50nA(典型条件)。

二、主要特点

  • PNP 小信号三极管,单元数量:1,只含一个晶体管单元。
  • 40V 最大集射极耐压,适合中低压电源体系。
  • 200mA 连续集电极电流,能驱动中小负载或作为前置放大使用。
  • fT ≈ 300MHz,良好频率响应,适合几十MHz以内的宽带放大与开关。
  • SOT-23 小封装,节省 PCB 面积,适合便携设备和密集布局。

三、关键电气参数(典要说明)

  • Vceo(集-射极击穿)= 40V:不能超过此电压以免进入击穿区。
  • Ic(最大集电极电流)= 200mA:连续工作时应考虑功耗与温升限制。
  • Pd(耗散功率)≈ 300mW(自由空气、常温、典型 PCB 条件下):实际功耗受 PCB 铜箔和环境温度影响,需热设计。
  • Vebo(基-发反向击穿)= 6V:基极相对于发射极反向电压应受限,以免损伤结。
  • Icbo(集电极截止电流)≈ 50nA:低漏电适合高阻输入或高增益偏置电路。

四、引脚与封装

典型 SOT-23 引脚排列(从器件正面观察、标记朝上、从左到右):1 = E(发射极),2 = B(基极),3 = C(集电极)。不同厂家封装标识可能略有差异,设计前请以厂商数据手册为准。

五、典型应用

  • 高频或宽带小信号放大(射频前端、信号整形)。
  • 高端(高侧)开关与电源管理中的 PNP 驱动元件。
  • 互补推挽电路的 PNP 对应件(配合 NPN MMBT3904/类似器件)。
  • 通用开关、缓冲与电平移位电路。

六、使用建议与注意事项

  • 热管理:300mW 为典型耗散功率上限,实际应用中通过增加 PCB 铜箔尺寸或并联热 vias 降低结温以免热失效。
  • 偏置与稳定:对于放大电路,建议在发射极加入小电阻实现负反馈,提升热稳定性并减少 hFE 变化带来的偏置漂移。
  • 反向电压控制:避免基-发反向电压超过 6V,特别在开关转换或浪涌条件下需加限流或钳位保护。
  • ESD 与处理:属于敏感器件,贴片加工与搬运时注意静电防护与湿度控制。

七、替代与采购建议

常见替代型号包括 2N3906(通孔 TO-92)、其他 SOT-23 封装的 PNP 小信号管(如 BC856 等)。采购时确认器件的电气参数与封装引脚排列,并注意是否需 RoHS/无铅版本以及批次品质要求。

八、总结

Slkor(萨科微)生产的 MMBT3906 在 SOT-23 封装下,提供 40V 耐压、200mA 电流能力与 ~300MHz 的频率特性,适合中低压、高速小信号与高侧驱动应用。设计时需关注热耗散与基-发反向电压限制,并以厂商数据手册为最终依据以确保可靠性与性能匹配。