DMP6250SEQ-13 产品概述

一、产品简介

DMP6250SEQ-13 为 DIODES（美台）出品的一款 P 沟道增强型 MOSFET，面向汽车级应用设计，封装为 SOT-223。器件耐压 60V，单片封装包含 1 个 P 沟道晶体管，适合中低功率的高端侧开关与电源路径控制场合，兼顾体积紧凑与耐热可靠性。

二、主要电气参数

• 漏-源电压 (Vdss)：60 V
• 连续漏极电流 (Id)：6.1 A（器件额定值，实际受散热限制）
• 导通电阻 RDS(on)：250 mΩ @ |Vgs|=10 V、Id=1 A
• 门极阈值电压 Vgs(th)：约 3 V（以绝对值计，P 沟道器件阈值为负值，表示 |Vgs(th)|≈3 V）
• 总栅极电荷 Qg：9.7 nC @ 10 V（栅极驱动能量参考）
• 输入电容 Ciss：551 pF @ 30 V；反向传输电容 Crss：19.1 pF
• 工作结温范围：-55 ℃ 至 +150 ℃（Tj）
• 功耗 Pd：标注值 1.8 W；另有 14 W 标示（具体可用功耗强烈依赖封装散热与 PCB 布局）

三、主要特点与优势

• 汽车级耐温与可靠性，适用于严格环境下长期工作。
• 60 V 耐压适配车载和工业供电回路，支持中等电压的高端侧开关或逆向保护功能。
• 在 |Vgs|=10 V 条件下 RDS(on) 为 250 mΩ，适合开关小至中等负载，且导通损耗可控。
• 中等栅极电荷（9.7 nC）在功率与开关速度之间取得平衡，便于使用常规驱动器驱动且开关损耗合理。
• SOT-223 封装利于 PCB 安装与有限空间的散热设计，适合消费类与车载模块。

四、典型应用场景

• 车载高端侧负载开关（电磁阀、继电器驱动、照明等）
• 电源路径切换与反向电流阻断（电池管理、备用电源切换）
• 小功率 DC-DC 前置开关或软启动电路
• 工业控制、小型电机驱动与保护电路

五、热管理与布板建议

• Pd 标称与实际可耗散功率受 PCB 铜箔面积与散热条件影响大。SOT-223 在普通 PCB 上常见的无外加散热功耗接近 1.8 W；通过扩展铜箔、加大焊盘与热孔、或外接散热器，可显著提高可用功耗（制造商给出的 14 W 通常对应理想散热条件下的最大值）。
• 设计时应计算结温上升，确保在最坏工况下 Tj 不超过 150 ℃。推荐在器件散热区铺设充足的铜箔并考虑多层过孔导热。
• 开关过程中注意 dv/dt 与寄生电容引起的瞬态，应合理选用门极电阻与吸收电路以限制过冲。

六、选型与使用注意

• 由于为 P 沟道器件，门源电压极性与 N 沟道相反：开通时需施加负于源的门压（以绝对值计）。请根据具体电源轨设计合适的门驱电平，典型驱动为 |Vgs|=10 V 可获得标称 RDS(on)。
• 器件敏感于瞬态峰值与 ESD，实际设计中应遵循数据手册中的最大额定值（特别是 Vgs 最大允许值、脉冲电流与热极限）。
• 并联使用需谨慎，受封装与 RDS(on) 匹配及热分布影响，建议优先通过拓扑优化而非并联来扩大电流能力。
• 开关损耗、门驱能量与 Ciss/Crss 值决定了驱动器与驱动速度的选择：若需高速切换，应评估 Qg 与栅极驱动能力并配置相应驱动电路。

七、结语

DMP6250SEQ-13 在 SOT-223 小体积封装中提供了 60 V、可观的电流能力与合理的导通电阻，适合汽车与工业场景下的高端侧开关与电源路径控制。设计时应重点关注散热布局与门极驱动，以发挥器件的稳定性能。更多绝对最大额定值与典型曲线建议参见厂商完整数据手册，以确保可靠、安全应用。