型号:

ES8JC

品牌:晶导微电子
封装:SMC
批次:两年内
包装:编带
重量:-
其他:
ES8JC 产品实物图片
ES8JC 一小时发货
描述:快恢复/高效率二极管 独立式 1.7V@8A 600V 8A
库存数量
库存:
3629
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.299
3000+
0.266
产品参数
属性参数值
二极管配置独立式
正向压降(Vf)1.7V@8A
直流反向耐压(Vr)600V
整流电流8A
反向电流(Ir)10uA@600V
反向恢复时间(Trr)35ns
工作结温范围-55℃~+150℃@(Tj)
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)125A

ES8JC 产品概述

一、产品简介

ES8JC 为晶导微电子推出的独立式快恢复、高效率整流二极管,封装为 SMC。器件工作结温范围为 -55℃ 至 +150℃,直流整流电流 8A,适合中功率开关电源与整流场景。

二、主要性能特点

  • 正向压降 Vf = 1.7V @ 8A,导通损耗低,有利于提高整机效率。
  • 非重复峰值浪涌电流 Ifsm = 125A,可承受启动或短时冲击电流。
  • 直流反向耐压 Vr = 600V,适用于高压整流与 PFC 电路。
  • 反向电流 Ir = 10µA @ 600V,低漏电有利于高压下的静态损耗控制。
  • 反向恢复时间 Trr = 35ns,属于快恢复类型,能减少开关损耗与关断应力。

三、电气与热设计要点

  • 在持续 8A 工作点应考虑结-壳、壳-环境的散热能力,建议在 PCB 设计中增大铜箔面积并确保良好散热路径。
  • 正向压降决定了导通损耗 P ≈ Vf×I,应在热预算中留出裕量并考虑器件随结温上升而增大的 Vf 与 Ir。
  • 对于有频繁开关或高 dv/dt 的场合,需关注反向恢复引起的电压尖峰与额外损耗,可配合缓冲元件(R-C、SBD 并联等)优化。

四、典型应用场景

  • 开关电源(SMPS)输出整流与次级整流。
  • 功率因数校正(PFC)桥式整流。
  • 逆变器、变频器的自由轮回与续流路径。
  • 工业电源、充电设备及其他中高压整流场合。

五、封装与安装注意事项

  • SMC 封装适合波峰/回流焊接,焊接时遵循焊料厂与工艺规范,避免长时间过高温度导致元件应力。
  • PCB 布局建议使电流回路尽量短且宽,减少寄生电感与热阻;器件冷却面应与散热铜皮良好接触。

六、可靠性与检验建议

  • 推荐在样机阶段进行温升测试、浪涌试验与反向恢复行为评估。
  • 量产导入时进行 100% 外观与焊接质量检查,关键应用可加入老化与热循环验证。

ES8JC 以其 600V/8A 的电压电流等级、快恢复特性与较低正向压降,适合要求效率与可靠性兼顾的功率整流应用。