SS22 肖特基二极管（晶导微电子）产品概述

一、主要性能与规格

SS22 为晶导微电子推出的一款单个独立式肖特基整流二极管，采用 SMA 封装，适合中等功率整流与保护应用。核心参数如下：

• 正向压降 Vf：0.55 V @ 2 A
• 额定整流电流：2 A（直流）
• 非重复峰值浪涌电流 Ifsm：50 A（单次脉冲）
• 直流反向耐压 Vr：20 V
• 反向电流 Ir：500 μA @ 20 V（标称测试点）
• 工作结温范围：-55 ℃ 至 +125 ℃

二、关键特性解析

1. 低正向压降：0.55 V@2 A 的典型值使得 SS22 在高电流下具有较低的导通损耗，提高整流效率并降低发热，适合对效率敏感的电源线路。
2. 快速恢复与肖特基特性：作为肖特基器件，开关恢复时间极短，适合开关电源、升降压转换器和快速脉冲场合。
3. 抗浪涌能力：50 A 的非重复峰值浪涌电流，允许器件承受开机或瞬态电流冲击，但不建议作为常态承载手段。
4. 反向泄露：在 20 V 时 Ir=500 μA，随温度升高会明显增加，设计时应考虑温度对泄漏与功耗的影响。

三、典型应用场景

• 开关电源次级整流
• DC-DC 转换器与同步整流替代
• 反向极性和反冲保护
• 电池充放电路径保护与整流
• 电机驱动、继电器钳位与快速钳位电路

四、热管理与电气设计注意事项

在 2 A 工作点，器件正向损耗约为 P = Vf × I ≈ 1.1 W，此热量需通过 SMA 封装及 PCB 铜箔散出以保证结温在允许范围内。建议：

• 在封装两侧增加散热铜箔与过孔，扩大热回流路径；
• 对长期高电流工况进行适当电流降额或使用并联方案（需注意电流分享问题）；
• 在高温环境下考虑反向漏电增加对系统待机功耗的影响并适当降额。

五、封装与焊接建议

SS22 为 SMA 表面贴装封装，器件极性通常由封装条纹标示。焊接建议遵循通用 SMA 器件工艺与 IPC/JEDEC 推荐的回流曲线及预热/冷却控制，避免长时间过高温度暴露以保护结温及封装可靠性。

六、可靠性与测试建议

• 在设计验证阶段应进行热仿真与实际热测，确认结温在最大允许值内；
• 对浪涌与反复脉冲场景做单脉冲与重复脉冲测试，验证 Ifsm 与长期应力下的可靠性；
• 对高温工作点测量反向漏电随温度变化曲线，以评估待机与泄漏功耗。

七、采购与型号标识

型号：SS22；品牌：晶导微电子；封装：SMA；常用于工业类、消费类电源模块与保护电路。采购时请确认批次与实际出厂测试条件（如 Ir 的测试温度），并索取器件完整数据表以获得详细的热阻、最大结温和焊接曲线等信息。

总结：SS22 以其低正向压降、较高浪涌承受能力与 SMA 封装的通用性，适合多种中功率整流与保护应用。设计时应重视热管理与温升对漏电与寿命的影响，必要时通过 PCB 散热优化或器件并联来满足更高电流需求。