型号:

SMF26A

品牌:晶导微电子
封装:SOD-123FL
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
SMF26A 产品实物图片
SMF26A 一小时发货
描述:TVS二极管 SMF26A CE
库存数量
库存:
1731
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0756
3000+
0.06
产品参数
属性参数值
反向截止电压(Vrwm)26V
钳位电压42.1V
峰值脉冲电流(Ipp)4.8A@10/1000us
峰值脉冲功率(Ppp)200W@10/1000us
击穿电压31.9V
反向电流(Ir)1uA
工作温度-55℃~+150℃
类型TVS

SMF26A(晶导微电子)TVS二极管产品概述

一、产品简介

SMF26A 是晶导微电子推出的一款瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用 SOD-123FL 表面贴装封装,专为抑制电源线和信号线上突发过压、浪涌与电磁干扰而设计。器件在宽温度范围内保持可靠工作(-55℃ 至 +150℃),适用于工业、通讯、自动化等需要对 24V 及相近电压轨道进行浪涌保护的场景。

二、主要电气参数(典型/额定)

  • 钳位电压(Vc):42.1 V(Ipp 条件下)
  • 工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  • 击穿电压(Vbr):31.9 V
  • 反向稳态电压(Vrwm):26 V
  • 峰值脉冲功率(Ppp):200 W @ 10/1000 μs
  • 峰值脉冲电流(Ipp):4.8 A @ 10/1000 μs
  • 反向漏电流(Ir):1 μA(典型)
  • 器件类型:单向 TVS 二极管
  • 封装:SOD-123FL(小型低外形)

这些参数表明 SMF26A 能在瞬态脉冲(10/1000 μs 波形)下提供 200W 的抑制能力,同时在峰值脉冲电流 4.8A 时将钳位电压控制在约 42.1V,从而保护下游电路免受高压冲击。

三、关键特性与优势

  • 高能量吸收能力:在 10/1000 μs 浪涌条件下提供 200W 的瞬态功率吸收能力,适合对抗工业与通讯环境中的高能脉冲。
  • 稳定钳位:在规定脉冲电流下钳位电压较低,有效减小对敏感器件的应力。
  • 低漏电流:典型反向漏电仅 1 μA,有利于低功耗系统和长时间待机设备。
  • 宽温度适应性:-55℃ 到 +150℃ 的工作温度范围,适合严苛环境与高温应用。
  • 小型封装:SOD-123FL 封装体积小、适合自动贴装,有利于在空间受限的电路板上布局。

四、典型应用场景

  • 24V 工业控制电源保护:PLC、驱动器、传感器电源线上对浪涌及反向脉冲的抑制。
  • 通信与网络设备:以太网供电端口、交换机、电源模块的过压保护。
  • 汽车电子(24V 车载系统辅助电源):对瞬态浪涌和开关瞬变有良好防护(注意按机动车辆标准做系统级验证)。
  • 电源管理与配电模块:dc-dc 模块输入、继电器线圈引起的反向脉冲抑制。
  • 工业传感与仪表:传感器供电和信号线端的瞬态保护。

五、设计与布局建议

  • 靠近被保护元件放置:为获得最佳保护效果,应将 SMF26A 尽可能靠近被保护的输入端或连接器放置,减少引线/走线长度和电感。
  • 短而宽的走线:尽量采用短、宽的铜铺设以降低串联阻抗,提升能量分散与散热能力。
  • 接地与热管理:若是双端或共地系统,确保有良好的接地平面或足够的过孔以便热量扩散;在高能浪涌环境下,设计合适的散热结构以延长器件寿命。
  • 串联元件配合:在一些应用中可与熔断器、限流电阻或软启动电路配合,以在极端浪涌情况下保护 TVS 本体并防止系统损伤。
  • 极性识别:SMF26A 为单向 TVS,焊接时注意极性方向,确保反向耐压端朝向被保护的电源线。

六、可靠性与使用注意

  • 在高温或高频次冲击下,建议按照器件规格对峰值能量进行适当的余量设计,避免长期在额定极限下连续承受冲击。
  • 若用于汽车或航空等关键系统,请结合系统级 EMC/ESD 测试(如 IEC/ISO 标准)验证整体防护效果。
  • 对于长期静态电压接近 Vrwm 的应用,应关注漏电随温度上升而增加的特性,必要时增加安全裕量。

总结:SMF26A(晶导微电子)是一款面向 24V 级电源与信号线的高能量 TVS 器件,以其 200W 的瞬态吸收能力、低漏电以及宽温度范围,适合工业、通信与受限空间的电路保护需求。在实际设计中,合理布局与配套保护措施能显著提升系统的抗浪涌性能和长期可靠性。若需详细的典型参数曲线、封装尺寸和焊盘建议,请参考晶导微电子的器件数据手册。