ES2DB 产品概述

一、产品简介

ES2DB 为晶导微电子推出的一款独立式快恢复/高效率整流二极管，封装为 SMB（DO-214AA）。器件适用于开关电源、逆变器、马达驱动等需要快速恢复与低正向压降的场合，兼顾高浪涌能力与宽工作结温范围，便于在中小功率电源系统中替代普通整流二极管以提高效率。

二、主要技术参数

• 型号：ES2DB（晶导微电子）
• 封装：SMB（独立式）
• 直流整流电流：2 A
• 正向压降：Vf = 1.0 V @ If = 2 A
• 非重复峰值浪涌电流：Ifsm = 60 A
• 直流反向耐压：Vr = 200 V
• 反向电流：Ir = 5 µA @ VR = 200 V
• 反向恢复时间：Trr = 35 ns
• 工作结温范围：Tj = -55℃ ~ +150℃

三、特点与优势

• 快恢复特性（Trr≈35 ns），减少开关损耗与电磁干扰。
• 低正向压降（1 V @ 2 A），降低导通损耗，提高转换效率。
• 高峰值浪涌能力（60 A），增强启动或短时过载耐受性。
• 低反向漏电（5 µA @ 200 V），适合高压整流场合。
• 宽温度范围，适应恶劣环境与高温工作条件。

四、典型应用

• 开关电源（SMPS）整流/续流二极管
• 逆变器与电机驱动的自由轮二极管
• LED 驱动与充电器输出整流
• 保护回路、过压吸收与功率模块的快恢复整流

五、封装与热管理

SMB 封装便于焊接与散热，但在持续 2 A 电流下仍需注意热阻与PCB散热布局。推荐采用较大铜箔面积、加热沉或散热岛，并参考厂方结壳/结板热阻与容许结温随电流的降额曲线进行设计，以保证长期可靠性。

六、使用与注意事项

• 禁止超过 Vr = 200 V 的反向应力，避免长期高温下漏电增加。
• 在高 dv/dt 或高频开关应用中，注意布局缩短回流路径以减少寄生电感引起的过压。
• 对于频繁开关与硬恢复场景，可评估是否需要额外缓冲（RC 抑制或TVS）以降低应力。
• 焊接时遵循 SMB 封装的回流曲线，避免超温造成器件损伤。防静电操作、避免机械应力。

七、订购信息与质量

• 品牌：晶导微电子
• 型号：ES2DB，封装 SMB
• 建议向授权分销商或厂方索取完整数据手册（包含温升、降额曲线、机械尺寸与可靠性试验报告）以便设计验证与采购。

以上为 ES2DB 的产品概述与应用建议，具体性能与电气特性请以晶导微电子正式数据手册为准。