MB10F 整流桥（MBF 封装）产品概述

一、产品简介

MB10F 为晶导微电子出品的单相整流桥，MBF 封装，面向高压整流与中小功率直流供电场景。器件在工作结温范围广（-55 ℃ ~ +150 ℃，Tj），具备高阻断电压与较低的正向压降，适用于需要高耐压且对反向漏电流敏感的电源设计。

二、主要参数

• 类型：单相整流桥（桥式整流器）
• 正向压降（Vf）：1.1 V @ 800 mA（单个二极管）
• 整流电流：800 mA（连续）
• 非重复峰值浪涌电流（Ifsm）：30 A（单次冲击）
• 直流反向耐压（Vr）：1000 V（Vrwm / Vrrm）
• 反向电流（Ir）：5 μA @ 1000 V
• 工作结温：-55 ℃ ~ +150 ℃（Tj）
• 封装：MBF

注：桥式工作时，每次导通存在两只二极管串联的压降。

三、关键性能解析

• 高耐压特性：1000 V 的反向耐压使 MB10F 适合高压整流场合，例如高电压电源、测试设备或 HV 传感器供电，能承受较大的直流阻断电压。
• 低反向漏电：在 1000 V 条件下反向电流仅为 5 μA，适用于对漏电流要求严格的应用（例如计量、仪器仪表及高阻输入电路）。
• 正向压降与功耗：单片二极管 Vf 为 1.1 V（@800 mA），桥式整流时有效电压降约为两只二极管之和，即约 2.2 V。示例功耗：在 0.8 A 时 P ≈ 2.2 V × 0.8 A ≈ 1.76 W，需注意热管理。
• 冲击能力：Ifsm 30 A 表明器件可承受短时电流冲击（如开机浪涌或容性负载充电），但不宜作为长期超过额定电流的工作方式。

四、热设计与散热注意事项

• 由于在额定整流电流下器件功耗接近几瓦，建议在 PCB 设计中预留较大铜箔面积或增加散热片 / 对流散热，保证结温低于 150 ℃。
• 在高环境温度或封装限制的场合，应考虑对整流电流进行降额处理（derating），以延长寿命并提高可靠性。
• 反向漏电流随温度上升而增大，高温条件下要留有余量并评估系统电流容忍度。

五、典型应用场景

• 高压整流电源（实验室电源、HV 传感器供电）
• 工业电源模块中的整流与整流保护
• 仪器仪表与计量设备（低漏电高阻断需求）
• 小功率开关电源输入整流、备用电源与电池充电（中等电流）
• 对浪涌有一定要求的电源（结合抑制元件使用）

六、使用与保护建议

• 对于含有大电容的输入滤波器或需承受较大浪涌的应用，建议在输入端加入限流电阻、NTC 启动电阻或软启动电路以限制 Ifsm。
• 在高压侧使用时，留有足够的边缘间隙与爬电距离，确保耐压与绝缘安全。
• 若系统对反向漏电极其敏感，应在实际温度条件下验证漏电水平，并考虑冗余或后备测量/检测电路。
• 对于长期运行的设计，建议将工作电流控制在额定值以下，参照供应商资料做电流降额。

七、封装与焊接提示

• MBF 封装适合 PCB 插装，焊接时注意焊接温度与时间，避免对封装和内部焊点造成热损伤。
• PCB 布局应保证桥输出端与散热铜箔良好连接，并根据实际功耗设计足够的铜面与通孔散热路径。
• 为保证长期可靠性，推荐按照行业焊接与清洗规范进行生产工艺控制。

八、可靠性与测试建议

• 在产品开发阶段，开展热循环测试、耐压测试（Hi-Pot）、浪涌测试（Ifsm）、湿热与盐雾等可靠性验证，确认在目标应用环境下性能满足要求。
• 对批量采购，建议抽检反向漏电、正向压降与耐压一致性，确保器件批次稳定。

九、选型建议

若应用需要高耐压（≥1000 V）、低漏电且中等整流电流（≤800 mA），MB10F 是合适的选择。对于更高持续电流或更低正向压降的需求，可考虑更大封装或肖特基器件，但需权衡漏电与耐压指标。最终选型应结合实际工作温度、浪涌条件、功耗散热方案以及系统安全裕度综合评估。

如需进一步的电气特性曲线、封装尺寸图或典型应用电路图，可提供以便更精确地完成系统设计验证。