型号:

SS56

品牌:晶导微电子
封装:SMA(DO-214AC)
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
SS56 产品实物图片
SS56 一小时发货
描述:肖特基二极管 700mV@5A 60V 300uA@60V 5A
库存数量
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最小包:5000
商品单价
梯度内地(含税)
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5000+
0.136
产品参数
属性参数值
正向压降(Vf)700mV@5A
直流反向耐压(Vr)60V
整流电流5A
反向电流(Ir)300uA@60V
工作结温范围-55℃~+150℃
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)150A

SS56 肖特基二极管 产品概述

一、产品简介

SS56 是晶导微电子推出的一款功率肖特基整流二极管,封装为 SMA (DO-214AC),面向中功率整流、保护与续流应用。器件强调在 5A 连续整流条件下具有较低的正向压降与快速切换特性,适合开关电源、DC-DC 转换器、整流桥和反接保护等场合。

二、主要电气参数

  • 正向压降 (Vf):700 mV @ IF = 5 A(典型值,实际随温度与工况变化)
  • 直流反向耐压 (Vr):60 V
  • 反向电流 (Ir):300 μA @ VR = 60 V(注意随温度上升会显著增加)
  • 整流电流:IF(RMS) / IF(平均) = 5 A(连续工作)
  • 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):150 A(单次冲击型浪涌能力)
  • 工作结温范围:-55 ℃ ~ +150 ℃

三、封装与热特性

SMA (DO-214AC) 为表贴封装,适合自动贴装与回流焊工艺。封装体积小、导热面有限,须通过合理 PCB 散热设计(扩大铜箔面积、加热孔或散热铜皮)来降低结温。在高电流或脉冲条件下,建议评估结-环境温升并适当降额使用。

四、优势与限制

优势:

  • 在 5 A 等级中拥有较为平衡的 Vf 与散热体积,适合占板面积受限的应用。
  • Ifsm 达到 150 A,能承受短时浪涌与启动冲击。

限制:

  • 300 μA 的反向漏电在高温或高阻抗电路中可能影响性能,需评估漏电带来的静态功耗或偏置误差。
  • SMA 封装热阻相对较高,不适合长期大电流高结温工况。

五、典型应用场景

  • 开关电源与整流桥(中小功率)
  • 降压转换器续流二极管与同步整流替代件
  • 电源反接保护与极性保护电路
  • 电池充放电保护电路(需注意漏电)
  • 汽车电子与工业控制(在工作温度允许的前提下)

六、设计与使用建议

  • 布局时在二极管阴极/阳极引脚处增大铜箔面积,并必要时添加热过孔以改善散热。
  • 考虑环境最高工作温度时,对 Vf 与 Ir 的升高进行热仿真与降额设计。
  • 避免并联多个肖特基二极管以提高电流,因 Vf 不完全一致会导致电流不均。若需更大电流,优先选择更大封装或专用功率器件。
  • 在存在高反向电压应力或频繁浪涌的场合,评估浪涌能量并验证 Ifsm 与热循环寿命。
  • 参考晶导微电子的回流焊工艺规范与最大结温限制,确保可靠焊接与长期可靠性。

七、选型建议

如需更低正向压降或更高浪涌能力,可考虑更大功率封装(如 DO-214AA/TO-220 等)或低 Vf 的高级肖特基家族;若反向漏电敏感,应寻求低 Ir 等级或采用传统 PN 肖特基替代方案。选型时以最大工作电压、连续电流、热设计余量与应用工况为准。