型号:

SBDD20200CT

品牌:CJ(江苏长电/长晶)
封装:TO-252-2
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
SBDD20200CT 产品实物图片
SBDD20200CT 一小时发货
描述:肖特基二极管 SBDD20200CT
库存数量
库存:
4452
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.5994
2500+
0.55512
产品参数
属性参数值
二极管配置1对共阴极
正向压降(Vf)860mV@10A
直流反向耐压(Vr)200V
整流电流20A
反向电流(Ir)2uA@200V
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)150A

SBDD20200CT 肖特基二极管 产品概述

一、产品概述

SBDD20200CT 是江苏长电/长晶(CJ)生产的一款高压肖特基整流二极管,双芯片封装为1对共阴极结构,适用于大电流、高压情形下的整流与保护应用。器件采用 TO-252-2(DPAK)表面贴装封装,兼顾功率散热与板级组装便利性,适合模块化电源、逆变与工业驱动方向的批量生产使用。

二、主要规格与电气参数

  • 器件类型:肖特基二极管,1对共阴极
  • 正向压降:Vf = 860 mV @ If = 10 A(标称条件)
  • 直流反向耐压:Vr = 200 V
  • 平均整流电流:20 A(连续)
  • 反向漏电流:Ir = 2 μA @ Vr = 200 V
  • 非重复峰值浪涌电流:Ifsm = 150 A

以上参数表明该器件在200 V 级别下能承受较高正向电流,并且具有较小的反向漏电,可用于要求高压耐受与较大脉冲能力的场合。

三、封装与热性能

SBDD20200CT 采用 TO-252-2(DPAK)封装,适合回流焊贴装,具有较好的焊盘面积便于热量传导。由于器件额定整流电流达到 20 A,实际PCB设计时应配合足够铜厚与热铜铺设、通过热孔或散热片加强散热,以降低结温并保证长期可靠性。具体热阻与结温-环境的关系请参考器件完整数据表进行热设计与降额。

四、主要特点与优势

  • 高电压耐受:200 V 反向电压等级适合工业电源与中高压整流应用。
  • 大电流能力:20 A 连续整流与 150 A 峰值浪涌,满足启动/冲击电流需求。
  • 低反向漏电:2 μA(@200 V)保证在高压下静态功耗低,适合漏电敏感场合。
  • 共阴极组合:便于半桥整流、双路选择或对称输出的电路实现。
  • 快速响应:肖特基结构本身具有低反向恢复特性,减少开关损耗与电磁干扰(与传统快恢复二极管相比具有优势)。

五、典型应用场景

  • 开关电源输出与整流滤波(高压侧或副边整流)
  • DC-DC 变换器/降压模块的续流与整流元件
  • 电机驱动、逆变器的自由轮回路与保护电路
  • 电源反接保护、OR-ing 电路与浪涌吸收场合
  • 工业、电信与消费类需要高压高流整流的电源模块

六、使用建议与注意事项

  • 建议在 PCB 布局中为 DPAK 器件提供充足的散热铜箔,必要时并联多个器件或增加导热垫与散热片。
  • 正向压降随温度与电流升高而上升,设计时应考虑结温对 Vf 的影响并做功率损耗评估。
  • 高频开关应用时应考虑与栅极/开关瞬态匹配,保持合理的回路阻抗以降低振荡与尖峰。
  • 若需并联使用多只器件以提升电流能力,请关注电流均流与热失配问题,尽量保持一致焊接与散热条件。

七、可靠性与选型建议

在选型时应结合系统最大工作电压、峰值浪涌需求与结温范围做热降额计算,并建议参考 CJ 提供的完整数据表与封装机械图以确认焊盘尺寸与可靠性。对于要求更低正向压降或更高电压的应用,可对比其他型号或咨询供应商获取备选方案。若关注长期寿命与耐环境能力,请确认器件的温度循环、湿热与冲击试验数据。