SD05T1G-N 是一款由 BORN(伯恩半导体)生产的单向静电放电(ESD)保护器件,属于 TVS(瞬态电压抑制器)系列。该器件专为保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的损害而设计。其反向截止电压(Vrwm)为 5V,适用于低电压电路的保护。
SD05T1G-N 广泛应用于各种需要 ESD 保护的电子设备中,包括但不限于:
以下是 SD05T1G-N 的主要技术参数:
参数 | 值 |
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反向截止电压 (Vrwm) | 5V |
击穿电压 (Vbr) | 6.4V (最小值) |
最大钳位电压 (Vc) | 9.2V (在 8A 时) |
峰值脉冲电流 (Ipp) | 8A |
工作温度范围 | -55°C 至 +150°C |
封装类型 | SOD-323 |
SD05T1G-N 是一种基于 PN 结的瞬态电压抑制器。在正常工作条件下,器件处于高阻抗状态,对电路几乎没有影响。当电路中出现瞬态电压或 ESD 事件时,器件迅速进入低阻抗状态,将瞬态能量吸收并限制电压在安全范围内,从而保护后续电路。
SD05T1G-N 是一款高效、可靠的 ESD 保护器件,适用于各种低电压电路的保护需求。其优异的性能和紧凑的封装设计使其成为消费电子、通信设备、工业控制、汽车电子和医疗设备等领域的理想选择。通过使用 SD05T1G-N,可以有效提高电子设备的抗 ESD 和瞬态电压能力,延长设备的使用寿命,降低维修成本。
如需订购 SD05T1G-N 或了解更多产品信息,请联系 BORN(伯恩半导体)或其授权代理商。我们将为您提供专业的技术支持和优质的售后服务。
以上是 SD05T1G-N 的产品概述,希望对您有所帮助。如有任何疑问或需要进一步的技术支持,请随时与我们联系。