型号:

BC848C

品牌:Hottech(合科泰)
封装:SOT-23
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
BC848C 产品实物图片
BC848C 一小时发货
描述:三极管(BJT) 200mW 30V 100mA NPN
库存数量
库存:
5881
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0277
3000+
0.022
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)30V
耗散功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE)420@2mA,5V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))500mV@100mA,5mA
射基极击穿电压(Vebo)6V

BC848C 产品概述

一、产品简介

BC848C 是 Hottech(合科泰)推出的一款低功耗、小尺寸的 NPN 型小信号双极晶体管,封装为 SOT-23。该器件面向通用开关与放大应用,兼顾高直流增益与较宽的频率特性,适合便携与高密度电路板设计。

二、主要电气参数

  • 晶体管类型:NPN
  • 集电极电流 Ic(max):100 mA
  • 集—射极击穿电压 Vceo:30 V
  • 功耗 Pd:200 mW(封装及环境依赖,见数据手册)
  • 直流电流增益 hFE:420 @ Ic = 2 mA, VCE = 5 V(C 级别高增益)
  • 特征频率 fT:100 MHz
  • 集电极截止电流 Icbo:≈100 nA(典型)
  • 集电极饱和电压 VCE(sat):≈500 mV @ Ic = 100 mA, Ib = 5 mA
  • 发—基极反向击穿电压 Vebo:6 V
  • 封装:SOT-23

三、性能特点

  • 高直流增益(hFE 高达 420),在小信号放大场合可减少偏置电流要求,提升灵敏度。
  • fT ≈100 MHz,满足一般音频及低中频放大器与缓冲电路的频率需求。
  • 低漏电流(Icbo 约100 nA),适合高阻抗输入或传感前端场合。
  • SOT-23 小体积,便于表面贴装和高密度布局。

四、封装与热管理

SOT-23 封装便于自动贴装,但散热能力受限,额定耗散功率 Pd = 200 mW(标称值)在实际电路中需考虑环境温度与 PCB 热扩散。建议:

  • 在高电流或持续功耗场景下使用较大铜箔散热或增加过孔改善导热;
  • 根据应用对功耗进行降额设计,确保结温不超限;
  • 参考官方数据手册确定最大结温与热阻参数。

五、典型应用

  • 小信号放大器(前置放大、差分放大等)
  • 低侧或高侧通用开关(通过合适基极驱动)
  • 传感器信号调理、驱动小型继电器或光耦输入(注意功耗与饱和电压)
  • 电平转换与缓冲电路

六、使用建议与注意事项

  • 避免对基-射极施加超过 Vebo = 6 V 的反向电压,以免损伤极间结。
  • 若需要开关 100 mA 级别电流,请保证基极驱动电流足够(参考 VCE(sat) 规格:500 mV @ Ic=100 mA, Ib=5 mA),并注意封装散热限制。
  • 在高阻抗或低漏电要求电路中,Icbo 虽小但仍需考虑温度上升对漏电的影响。
  • 为保证长期可靠性,应在高温环境中对 Pd 进行降额并按 PCB 进行热设计。

七、结论

BC848C(Hottech 合科泰,SOT-23)是一款性能均衡的高增益 NPN 小信号晶体管,适用于对增益、频率和封装尺寸有综合要求的通用电子应用。在使用时需注意封装散热和基极反向电压限制,按照官方数据手册与电路热设计原则进行选型与布局,可在便携设备、传感与信号处理电路中发挥良好效果。若需引脚定义、温度特性和极限参数的详细数值,请参考合科泰官方数据手册。