BC847C 产品概述

一 产品简介

BC847C（品牌：Hottech / 合科泰）是一款小信号 NPN 三极管，适用于低功耗开关和小信号放大场合。器件采用 SOT-23 封装，体积小、便于表面贴装，针对现代便携与密集 PCB 设计进行了优化。

二 主要参数

• 晶体管类型：NPN
• 集电极电流 Ic(max)：100 mA
• 集射极击穿电压 Vceo：45 V
• 耗散功率 Pd：200 mW
• 直流电流增益 hFE：420（测定条件 IC=2 mA, VCE=5 V）
• 特征频率 fT：100 MHz
• 集电极截止电流 Icbo：100 nA
• 集—射极饱和电压 VCE(sat)：0.5 V（测定条件 IC=100 mA, IB=5 mA）
• 射基极击穿电压 Vebo：6 V
• 封装：SOT-23

三 特性与典型应用

BC847C 的高 hFE（在小电流条件下）使其在需要低基极驱动电流的放大电路中表现优异；100 MHz 的 fT 也支持较高频率的信号处理。典型应用包括：

• 小信号放大器、前置放大
• 低电流开关与逻辑驱动
• 电平移位与缓冲器
• 通用信号处理、传感器接口

注意：器件的耗散功率为 200 mW，尽管可承受 100 mA 峰值电流，但在高电流或连续工作时需关注温升与功耗限制。

四 封装与热管理建议

SOT-23 小封装利于空间受限的设计，但热阻相对较大。推荐做法：

• 布局时缩短集电极/发射极的走线，增加铜箔面积以利散热。
• 在预计接近额定功率时进行功率与热仿真并做必要的散热降额。
• 避免长期在 Pd 限制附近工作，留有热裕量以提升可靠性。

五 选型与使用注意

• 若需作为开关在饱和区工作，建议基极驱动考虑降额：尽管 hFE 很高，但饱和时有效增益降低，通常按 IB ≈ IC/10 或根据实际测量确定基流以获得所需 VCE(sat)。
• 防止反向施加过高的基-发电压（Vebo=6 V），以免损伤结。
• 在噪声敏感或高温场合检查 Icbo 与温漂特性，必要时选择更高 Pd 或更大封装的器件。

BC847C（Hottech 合科泰）以其高增益与良好频率响应，在小信号与低功耗应用中是性价比高的选择。根据实际电流和功耗要求做适当的热设计与驱动电流匹配，可获得稳定可靠的性能。