型号:

ILD205T

品牌:VISHAY(威世)
封装:SOIC-8
批次:25+
包装:编带
重量:0.344g
其他:
ILD205T 产品实物图片
ILD205T 一小时发货
描述:晶体管输出光耦 DC 光电三极管 4kV 1.2V
库存数量
库存:
9948
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.6
2000+
2.49
产品参数
属性参数值
输入类型DC
输出类型光电三极管
正向压降(Vf)1.2V
输出电流2.5mA
隔离电压(Vrms)4kV
直流反向耐压(Vr)6V
负载电压70V
输出通道数2
集射极饱和电压(VCE(sat))400mV@10mA,10mA
上升时间(tr)3us
下降时间4.7us
工作温度-55℃~+100℃
电流传输比(CTR)最小值40%
电流传输比(CTR)最大值/饱和值80%
总功耗(Pd)350mW
正向电流(If)30mA

ILD205T 产品概述

一、产品简介

ILD205T(VISHAY 威世)为双通道晶体管输出光电耦合器,采用 SOIC-8 封装,适用于直流信号隔离与逻辑电平接口。器件基于发光二极管与光电三极管耦合,提供高达 4 kVrms 的安全隔离能力,适合电源、工业控制及通信设备中需要低速隔离的场合。

二、主要特性

  • 隔离电压(Vrms):4 kV,确保高电压侧与低电压侧可靠隔离。
  • 输入类型:DC,直流驱动。正向压降 Vf ≈ 1.2 V(典型)。直流反向耐压 Vr = 6 V。
  • 输出类型:光电三极管,双通道(2 通道)。负载电压可达 70 V。
  • 电流传输比(CTR):最小 40%,最大/饱和值 80%(典型工作条件下)。
  • 输出电流:典型 2.5 mA,集-射极饱和电压 VCE(sat) = 400 mV(在 Ic=10 mA 条件下)。
  • 响应特性:上升时间 tr = 3 μs,下降时间 tf = 4.7 μs,适合中低速数字隔离。
  • 额定与环境:工作温度范围 -55 ℃ 至 +100 ℃;总功耗 Pd = 350 mW。
  • 输入极限:正向电流 If 最大 30 mA(请在设计中限定并配合 PWM 或恒流驱动)。

三、关键参数说明

  • CTR(电流传输比)表示输出集电电流与输入正向电流之比。ILD205T 在规定 If 下保证最低 40%,最高可达 80%,设计时应按最低值预留裕量。
  • VCE(sat) 在 Ic=10 mA、If=10 mA 条件下为 400 mV,用于估算低电平传播损耗及拉低能力。
  • 绝缘电压 4 kVrms 满足多数工业隔离规范,但对连续高压或冲击需配合系统其他隔离措施。
  • 响应时间为微秒级,适用于开关信号、脉冲宽度调制反馈等,但不适合高速串行通信或频率较高的模拟信号传输。

四、典型应用

  • MCU 与高压侧控制电路之间的逻辑隔离。
  • 开关电源的反馈与次级到初级信号传输。
  • 工业控制系统中的状态信号隔离与检测。
  • 隔离的报警与指示电路、低速数据隔离场景。

五、设计要点与示例计算

  • 驱动端:确保 If ≤ 30 mA,并使用限流电阻计算。假设 If = 10 mA,Vf ≈ 1.2 V,在 5 V 驱动下限流电阻 R ≈ (5 − 1.2) / 10 mA ≈ 380 Ω。
  • 拉升电阻:若输出需提供 Ic≈2.5 mA,可近似计算 Rpu = (Vcc − VCE(sat)) / Ic。以 Vcc=5 V、VCE(sat)≈0.4 V 为例,Rpu ≈ (5 − 0.4) / 2.5 mA ≈ 1.84 kΩ。实际设计请考虑 CTR 允许范围及温度漂移。
  • 功耗与热设计:单通道 Pd 总功耗不超过 350 mW,注意 PCB 散热与多通道叠加热量。
  • 抗干扰:输出端为集电极开路结构,建议加上 RC 滤波或上拉电阻以抑制干扰与抖动。

六、封装与可靠性

  • 封装:SOIC-8,便于自动贴片与常规 PCB 布局;双通道节省空间。
  • 工作温度:-55 ℃ 至 +100 ℃,适用于工业级环境,但在高温高湿环境中应注意 CTR 下降与长期老化效应。
  • 建议在关键安全应用中结合系统级隔离与熔断保护,遵循相关电气安全标准进行 EMC/耐压测试。

总结:ILD205T 提供稳定的 4 kV 隔离与适中的光电三极管输出特性,适合多种工业与电源隔离场合。设计时以最低 CTR、最大 If、环境温度及总功耗为约束,合理选择限流与上拉元件以保证可靠性与功能性。