型号:

ES2J

品牌:晶导微电子
封装:SMA
批次:26+
包装:编带
重量:0.000120
其他:
-
ES2J 产品实物图片
ES2J 一小时发货
描述:快恢复/高效率二极管 独立式 1.68V@2A 600V 2A
库存数量
库存:
18911
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0644
5000+
0.0528
产品参数
属性参数值
二极管配置独立式
正向压降(Vf)1.68V@2A
直流反向耐压(Vr)600V
整流电流2A
反向电流(Ir)5uA@600V
反向恢复时间(Trr)35ns
工作结温范围-55℃~+150℃@(Tj)
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)50A

ES2J 快恢复/高效率二极管 — 产品概述

一、产品简介

ES2J 为晶导微电子推出的一款独立式快恢复、高效率整流二极管,采用 SMA 封装设计,适用于高压整流与开关电源回路保护。器件具备 600V 的直流反向耐压和 2A 的持续整流能力,结合较短的反向恢复时间(Trr),在中等功率开关电源和整流应用中能提供良好的效率与抗干扰性能。

二、主要特性

  • 独立式二极管,封装:SMA,便于安装与更换
  • 直流反向耐压(Vr):600V,适合离线电源与高压逆变场合
  • 正向压降(Vf):典型 1.68V @ 2A,兼顾导通损耗与热耗散
  • 最大整流电流:2A(直流、持续)
  • 非重复峰值浪涌电流(Ifsm):50A,支持短时浪涌承受能力
  • 反向电流(Ir):5µA @ 600V,低反向漏电利于高压场合
  • 反向恢复时间(Trr):35ns,属快恢复型,有利于减小开关损耗与振铃

三、电气参数(典型/代表值)

  • 工作结温范围:-55℃ 至 +150℃(Tj)
  • Vf = 1.68V @ If = 2A(典型)
  • Ifsm = 50A(非重复峰值,短时浪涌)
  • Ir = 5µA @ Vr = 600V
  • Trr ≈ 35ns(典型)

注:具体极限参数、温度依赖特性及安全工作区请参考官方数据手册。

四、封装与机械特征

  • 封装形式:SMA(表面贴装/可波峰或回流焊)
  • SMA 封装尺寸小、占板面积低,但散热能力受限,需良好 PCB 铜箔与散热设计以保证长期可靠性。
  • 建议在高电流或连续工作时配合散热铜箔或散热金属垫使用。

五、典型应用场景

  • 开关电源(SMPS)输出整流或续流二极管
  • 离线适配器与充电器整流
  • 功率因数校正(PFC)电路(中间整流)
  • 逆变器与电机驱动的保护回路
  • 电源浪涌抑制与反接保护
  • 太阳能微型逆变器与LED驱动等需要 600V 耐压/快恢复的场合

六、热管理与可靠性建议

  • 由于 SMA 为小体积封装,器件的结温上升较快。实际应用中应避免在高散热负荷下长期以 2A 连续工作,必要时在 PCB 上增大铜箔面积并提供导热路径。
  • 考虑浪涌环境时,Ifsm 为瞬态指标,长期重复浪涌会降低可靠性。尽量通过电路设计降低浪涌幅度或使用滤波/限流元件。
  • 在高温环境下,反向漏电可能上升,应在电路容差内评估 Ir 随温度的影响。

七、使用与焊接注意事项

  • 推荐使用符合封装温度限值的回流焊工艺,避免超出器件允许的峰值焊接温度和时长。
  • 焊接后建议进行必要的清洗与残渣处理,防止焊剂残留影响高压绝缘。
  • 安装时注意极性标识,防止因接反造成器件损坏或系统故障。

八、选型与采购建议

  • 若应用需更低 Vf 或更高电流能力,可考虑并联多个器件或选用更大封装型号(注意均流与热管理);若需更短 Trr 或更低开关损耗,可对比肖特基或超快速恢复系列。
  • 订购时请确认完整型号(ES2J)、批次及包装形式,并索取最新数据手册和可靠性报告以满足设计验证与认证要求。

如需进一步的器件数据表、温度特性曲线或在特定电路中的仿真建议,可提供具体应用场景与电路条件,我可协助进行针对性的选型与设计优化。