型号:

CJ3134KDW

品牌:CJ(江苏长电/长晶)
封装:SOT-363
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
CJ3134KDW 产品实物图片
CJ3134KDW 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.1V 20V 750mA 1个N沟道
库存数量
库存:
1611
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.17064
3000+
0.1512
产品参数
属性参数值
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)750mA
导通电阻(RDS(on))800mΩ@1.8V,0.45A
耗散功率(Pd)150mW
阈值电压(Vgs(th))1.1V
栅极电荷量(Qg)750pC@4.5V
输入电容(Ciss)120pF
反向传输电容(Crss)15pF
工作温度-40℃~+150℃

CJ3134KDW 产品概述

一、产品简介

CJ3134KDW 是江苏长电(CJ)推出的一款小封装双通道 N 沟道增强型场效应管,封装为 SOT-363,适用于空间受限的便携与消费类电子设备。每通道耐压 20V、额定连续漏极电流可达 750mA(峰值/短时),面向低压、低功耗及信号/电源管理类应用设计。

二、主要特性

  • 双通道 N 沟道 MOSFET,集成于 SOT-363 小型封装,利于尺寸受限的 PCB 布局。
  • 漏源电压 Vdss = 20V,适合 12V 及更低电压系统保护与开关。
  • 连续漏极电流 Id = 750mA(器件极限),常态应用需考虑热耗散限制。
  • 导通电阻 RDS(on) = 800mΩ(在 Vgs = 1.8V、Id = 0.45A 条件下),适用于数百毫安级别的低电流负载。
  • 栅阈电压 Vgs(th) ≈ 1.1V,具有一定逻辑电平可驱动特性,但在较低栅压下导通阻抗仍偏大。
  • 栅极电荷 Qg = 750pC(@4.5V),输入电容 Ciss = 120pF,反向传输电容 Crss = 15pF。
  • 工作结温范围 -40℃ ~ +150℃。

三、电气与开关特性要点

  • 由于 RDS(on) 在低栅压下较高,本器件更适合作为低频开关或静态开关(如负载开关、电源路径选择),而非高效率高频功率转换器的主开关。
  • 较大的栅极电荷(750pC)意味着在频繁开关时需要较强的栅驱能力,否则会导致开关损耗和切换速度变慢;若用于开关频率较高的场合,建议使用专用驱动或考虑更低 Qg 的器件。
  • Crss 15pF 在关断瞬间可能引起米勒效应,快速边沿切换时需注意电压应力与振铃抑制。

四、典型应用场景

  • 电池供电设备的负载开关、背负电源保护与电源路径切换。
  • 数字电路或模拟信号的小电流开关、信号隔离与复用。
  • 便携式消费电子、穿戴设备、蓝牙耳机等对体积与成本敏感的场合。
  • 可用于并联以分担电流(需注意热均衡和配对),或作为双路独立开关使用以节省 PCB 面积。

五、封装与热管理建议

  • SOT-363 为极小型封装,器件的热阻相对较高,额定耗散功率 Pd = 150mW(需参考器件具体的温升和封装规范)。在设计时应采用较大的铜箔散热区、短而宽的走线,以及良好的底层散热处理以提高散热能力。
  • 长时间的接近额定电流工作会导致器件温升显著,建议在热设计中留有裕量,并通过热仿真或实测验证。

六、选型与 PCB 布局建议

  • 如果目标应用为低电流静态开关或电源管理,CJ3134KDW 提供体积优势与两个独立通道的便利;若需要更低导通损耗或高频开关,建议选择更低 RDS(on) 或更小 Qg 的替代型号。
  • 布局上栅极、漏极与源极走线应尽量短且直接,栅极添加阻尼电阻可抑制振铃并保护驱动器;对快速开关场合加入 RC 吸收或 TVS 保护以防止过电压。
  • 双通道优势可用于对称驱动或互为备份,但并联使用时需确保热均衡与驱动一致性。

综上,CJ3134KDW 以其小尺寸、双通道和 20V 等级适合对体积和成本敏感、工作电流在数百毫安以内的电源管理与开关应用。在设计中需关注栅极驱动、热散及开关速度对器件性能的影响,合理布线与散热设计可发挥器件最佳性能。