DRV8210PDSGR 产品概述

一、概述

DRV8210PDSGR 是 TI 面向小型有刷直流电机驱动的一款集成单 H 桥芯片。芯片支持 PWM 控制，适用于低电压供电和空间受限的嵌入式场景。其主要面向需要体积小、待机功耗极低且能够驱动短时峰值电流的便携类设备与控制模块。

二、主要参数（摘要）

• H 桥数量：1
• 峰值电流：1.76 A（峰值）
• 工作电压（逻辑/驱动）：1.65 V ~ 5.5 V
• 导通电阻（RDS(on)）：约 1 Ω
• 静态电流（Iq）：84.5 nA（超低待机功耗）
• 工作温度范围：-40 ℃ ~ +125 ℃
• 封装：WSON-8 (2 mm × 2 mm)
• 适用电机：有刷直流电机，PWM 驱动控制

三、关键特性与优势

• 低电压兼容：芯片逻辑和驱动侧从 1.65 V 起工作，便于与低功耗 MCU 和电池系统直接接口。
• 极低静态电流：84.5 nA 的待机电流非常适合长待机或电池供电产品，可显著延长空闲时的续航。
• 小尺寸封装：WSON-8 (2×2) 有利于减小 PCB 占用，适配手持或微型设备。
• 简化设计：单片集成 H 桥减少外部元件数量，加快开发周期。

四、应用场景

• 微型玩具与小型振动驱动器
• 便携式设备（玩具、可穿戴类低功耗振动/驱动模块）
• 简单位置/速度控制的低压直流电机驱动模块
• 教育与原型开发板

五、实用设计建议

• 功率与热管理：虽支持 1.76 A 峰值，但长期持续电流受导通电阻和封装散热限制。系统设计需评估 I^2·R 损耗与 PCB 散热，必要时限制占空比并安排热沉或热铜层。
• 去耦与电源稳压：在靠近芯片电源引脚放置低 ESR 陶瓷电容做去耦，同时在电机供电侧配置足够的储能电容以抑制瞬态电压跌落。
• 布线与布局：高电流回路尽量短、宽，对地回路单点接地；数字控制线与功率回路分离，避免 PWM 干扰。
• 输入兼容性：PWM 输入推荐与 MCU 电平匹配，若 PWM 源电压高于芯片允许范围，应加电平移位或阻抗匹配保护。
• 保护与可靠性：建议在系统级加入过流、过温与欠压检测方案，并参考 TI 原厂数据手册的典型保护特性与使用注意事项。

六、总结

DRV8210PDSGR 以超低待机功耗、小体积封装和灵活的低电压驱动能力，适合空间受限、对空载能耗敏感的有刷直流电机应用。设计时应重点关注热量管理与功率回路布局，合理控制占空比与外部储能，以保证长期稳定运行。有关详细电气特性、引脚功能及典型应用电路，请参考 TI 官方数据手册以完成最终设计验证。