CD4050BM/TR（HGSEMI 华冠）产品概述

CD4050BM/TR 是一款基于 CMOS 工艺的六路非反相缓冲器（Hex Non‑Inverting Buffer），属于 40 系列逻辑器件，封装为 SOP‑16。器件适用于 5V～15V 的单电源工作环境，工作温度范围为 -40℃ 至 +85℃，具有低静态电流、低功耗与良好的驱动能力，适合信号电平转换、总线缓冲和低速驱动应用。

一、主要特性

• 工作电压：5V ～ 15V（推荐在 5V 常见逻辑系统中使用）
• 通道数：6 路缓冲器（每路一位，共 6 位）
• 输出驱动能力：灌电流 IOL = 4 mA，拉电流 IOH = 4 mA（典型）
• 静态电流：Iq ≈ 4 μA（典型，低功耗）
• 传播延迟：tpd = 60 ns（VCC = 5V，CL = 50 pF）
• 工艺与封装：CMOS，SOP‑16 封装
• 工作温度：-40℃ ～ +85℃

二、典型应用场景

• 电平缓冲与电平匹配（如 5V 与更高电压系统接口）
• 多路信号的驱动和总线隔离，减少上游器件负载
• 低功耗控制逻辑、延时电路与脉冲整形
• MCU/FPGA 到外设的缓冲，适用于对速度要求不高但要求稳定性的场合

三、性能解读与设计要点

• 低静态电流（Iq ≈ 4 μA）使器件适合电池供电或低功耗系统，但输出驱动仅为 4 mA，不能直接驱动大电流负载或低阻抗负载，应通过功率级驱动器或 MOSFET 级联。
• 传播延迟在 5V、50 pF 负载下约 60 ns，适合中低速数字信号。若系统对时序敏感，应在设计时计入延迟与上升/下降时间。
• 由于为 CMOS 器件，输入对静电与越过电源轨的电压敏感，输入不得超过 VCC+0.5V 或低于 GND‑0.5V，否则可能造成损坏或异常工作。

四、使用建议与可靠性注意

• 电源去耦：在 VCC 与 GND 之间靠近封装放置 0.1 μF 陶瓷电容以抑制电源瞬态。
• 引脚保护：如需连接到高压或长线输入，建议在输入端并联小电阻或使用 TVS/钳位网络以防止浪涌与静电。
• 扇出计算：按单路 IOH/IOL = 4 mA 估算扇出，若被驱动的下游器件输入电流较大，应限制每路负载或采用缓冲级。
• 温度与散热：SOP‑16 适合常规 PCB 安装，注意焊接温度曲线与不可超温回流以保证可靠性。
• ESD 与过压保护：遵循静电防护规范，避免带电插拔和超过规定电压操作。

五、封装与选型

• 常见订购型号：CD4050BM/TR（SOP‑16，华冠 HGSEMI 品牌）
• 在选型时关注工作电压、IO 能力、传播延迟与工作温度，若需更高驱动能力或更低延迟，可考虑其他输出级增强型器件或驱动器。

总结：CD4050BM/TR 以其低功耗、六路缓冲结构和适中的速度特性，适用于电平缓冲、总线隔离及中低速数字系统。设计时需注意其有限的输出电流与输入电压保护要求，通过合理的去耦、保护与扇出控制可确保长期稳定工作。