型号:

TLC69660RTWR

品牌:TI(德州仪器)
封装:WQFN-24(4x4)
批次:23+
包装:编带
重量:-
其他:
TLC69660RTWR 产品实物图片
TLC69660RTWR 一小时发货
描述:8-scan MOSFET
库存数量
库存:
1
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
19.23
3000+
18.86
产品参数
属性参数值
通道数8
输出电流60mA
工作温度-40℃~+85℃

TLC69660RTWR 产品概述

TLC69660RTWR 是德州仪器(TI)推出的一款 8 通道 MOSFET 驱动器,面向需要多通道开关控制与高可靠性输出的工业与消费类应用。器件支持每通道最高 60 mA 输出能力,工作温度范围为 -40 ℃ 到 +85 ℃,封装为 WQFN-24(4 mm × 4 mm),在体积受限且要求并列多路驱动的系统中具有明显优势。

一、主要特性

  • 通道数:8 路独立输出,便于集中控制多路负载。
  • 输出能力:每通道最高 60 mA(典型应用中需根据热耗和 PCB 散热做适当裕量)。
  • 工作温度:工业级范围 -40 ℃ ~ +85 ℃,适合严苛环境。
  • 封装形式:WQFN-24(4×4),利于高密度板级布局并具备良好热性能。
  • 品牌与质量保障:德州仪器(TI),具备完善的设计支持与资料文档。

二、功能与工作说明

TLC69660RTWR 将 MOSFET 驱动与保护电路集成于单芯片内,用于控制外部负载或作为矩阵扫描、指示与小功率驱动的开关元件。每通道可独立切换,适用于需要并行或时间复用(扫描)驱动的方案。器件内部设计兼顾开关速率与稳定性,适合频繁开关应用;输出驱动能力 60 mA 可直接驱动小型继电器线圈、指示灯、低电流执行器或作为更大功率 MOSFET 的前端控制级。

三、封装与热管理建议

WQFN-24(4×4)小型封装利于密集布局,但功耗集中需要重视热路径设计。建议:

  • 在 PCB 下方开敞焊盘(thermal pad)并使用多层过孔将热量引导至内层和背面铜层;
  • 为每通道评估最大占空比与切换损耗,并在 PCB 上保留足够铜面积以降低结到环境的热阻;
  • 在高环境温或连续高占空比场景下考虑限流或分摊负载以避免过热降额。

四、典型应用场景

  • 指示与背光扫描控制:多通道 LED 或小功率照明阵列的分段驱动与扫描;
  • 面板与仪表:需要多路开关控制的小型执行器或显示驱动;
  • 工业控制与消费电子:传感器采集后的信号隔离、低电流继电器/阀门驱动;
  • 作为分布式接口:在空间受限的模块中替代多个离散驱动器,实现封装与布线优化。

五、设计注意事项

  • 电源与旁路:为芯片供电的电源轨需具备低阻抗,且在靠近芯片电源引脚处放置低 ESR 陶瓷旁路电容,以抑制开关瞬态;
  • 输出保护:若驱动感性负载(线圈、继电器),需追加合适的续流或钳位电路以限制反向电压;
  • PCB 布局:尽量将高电流回路和敏感信号分离,减少回流环路面积;过孔和粗铜迹用于降低阻抗并改善散热;
  • 热限与降额:在高温或连续导通场合计算器件结温(Tj),必要时采用降额设计或外部散热;
  • ESD 与浪涌:根据应用环境选择额外的 TVS 或抑制元件,保护输入/输出端口免受过压损伤。

六、可靠性与生产注意

  • 温度与寿命:在 -40 ℃ 至 +85 ℃ 的工业工作温度内工作,长期高温会加速老化,应在设计中留有热裕量;
  • 焊接工艺:遵循 WQFN 封装的回流焊工艺及湿热、温度梯度规范,注意焊盘涂层和焊膏量以保证可靠焊接;
  • 测试验证:建议在系统级进行热仿真与实际工况测试(满负载、不同占空比与环境温度),验证温升与电气性能。

七、选型建议与资料获取

在选型时,应结合系统所需的最大输出电流、开关频率、热管理能力及外部负载类型进行评估。建议参考德州仪器官方数据手册、应用指南和参考设计,必要时咨询 TI 的技术支持以获得评估板或更详尽的使用建议。对比同类器件时,关注通道独立性、保护功能、封装热阻与外部保护需求。

总结:TLC69660RTWR 以其 8 通道、60 mA 输出能力、工业温度等级与小型 WQFN 封装,适合多路小功率驱动与扫描类应用。合理的热设计与保护电路是确保其长期可靠运行的关键。若需更详细的电气参数、引脚配置和典型应用电路,请参阅 TI 数据手册。