型号:

BCP55-16

品牌:CJ(江苏长电/长晶)
封装:SOT-223
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
BCP55-16 产品实物图片
BCP55-16 一小时发货
描述:三极管(晶体管) BCP55-16 SOT-223(8R)
库存数量
库存:
1945
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.21945
2500+
0.19215
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)60V
耗散功率(Pd)1.5W
直流电流增益(hFE)100@500mA,2V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))500mV
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)5V

BCP55-16 NPN 三极管(SOT-223)产品概述

一、概述

BCP55-16 是江苏长电(CJ)推出的一款中低功率 NPN 晶体管,封装为 SOT-223(8R),适合在要求较好散热和较高电压耐受的场合替代传统 SOT-23 器件。器件设计面向开关与线性放大用途,兼顾开关速度与电流驱动能力。

二、主要电气参数

  • 晶体管类型:NPN
  • 集电极电流 Ic:1A(最大)
  • 集电极-发射极击穿电压 Vceo:60V
  • 耗散功率 Pd:1.5W(在推荐散热条件下)
  • 直流电流增益 hFE:100(测量条件 500mA, VCE=2V)
  • 特征频率 fT:100MHz
  • 集电极截止电流 Icbo:100nA
  • 集-射饱和电压 VCE(sat):约 500mV(饱和区)
  • 射极-基极击穿电压 Vebo:5V
  • 工作温度范围:-55℃ ~ +150℃

三、主要特性与优点

  • 电压耐受力较高,Vceo=60V,适合 24V/48V 等系统中的开关或驱动应用。
  • hFE 在中高电流区维持良好增益,500mA 条件下 hFE≈100,便于做功率驱动器或线性放大级。
  • fT=100MHz,保证在中频段仍有良好增益与开关速度,适用于开关电源前级或信号放大。
  • SOT-223 封装相比小型封装有更好的热阻与布板散热能力,可在 PCB 上承受较高的功耗。

四、热性能与封装注意

SOT-223 封装利于通过铜箔散热,请在 PCB 设计时扩大集电极焊盘和下层散热铜箔,必要时增加过孔连接内层热铜。器件额定耗散 1.5W,实际使用应考虑温度降额,工作环境温度升高时降低允许集电极电流。

五、典型应用场景

  • 中低功率开关与驱动(继电器、继电器驱动、继电器阵列)
  • 线性稳压器输出晶体管或预放大级
  • 音频功率前置放大与低频驱动
  • 开关电源初级或次级驱动电路

六、使用与保护建议

  • 避免基极-射极反向电压超过 Vebo=5V,电路设计时加基极限流电阻或二极管保护。
  • 在开关应用中注意 VCE(sat)≈500mV 的功耗产生,必要时增加散热或限制占空比。
  • 环境温度高时按厂商温度系数降额使用,防止长期热应力导致可靠性下降。

七、封装与采购信息

器件标识 BCP55-16,封装 SOT-223,品牌 CJ(江苏长电/长晶)。常见以卷带或托盘形式供应,适合自动贴装生产,订购时请确认完整料号与封装选项以匹配生产工艺。

以上为 BCP55-16 的产品概览,若需引脚排列图、完整电气特性曲线或典型应用原理图,可提供更详细资料或参考器件数据手册。