D3V3Z1BD2CSP-7 产品概述

一、概述

D3V3Z1BD2CSP-7 是 DIODES（美台）推出的一款单路双向瞬态电压抑制器（TVS）二极管，专为 3.3V 系统的数据/信号线及接口保护设计。器件采用紧凑 X2-DSN0603-2 封装，工作温度范围宽（-55℃ ~ +150℃），并符合 IEC 61000-4-2 与 IEC 61000-4-5 标准，适用于对 ESD 和浪涌有较高防护要求的应用场景。

二、主要参数

• 极性：双向
• 额定反向截止电压 Vrwm：3.3V
• 钳位电压（典型）：5.3V（在峰值脉冲条件下）
• 峰值脉冲电流 Ipp：10.5A @ 8/20µs
• 峰值脉冲功率 Ppp：55W @ 8/20µs
• 击穿电压 Vbr：9V（典型）
• 反向漏电流 Ir：50nA（在 Vrwm 条件下）
• 结电容 Cj：0.3pF（低电容，适合高速信号）
• 通道数：单路
• 工作温度：-55℃ ~ +150℃
• 防护等级：满足 IEC 61000-4-2 / IEC 61000-4-5

三、性能要点

• 低钳位电压（5.3V），在发生 ESD 或浪涌时可有效限制被保护节点的电压峰值，降低对下游器件的损伤风险。
• 10.5A（8/20µs）脉冲承受能力与 55W 峰值功率使其可抵抗较强的浪涌冲击。
• 极低漏电（50nA）和极小结电容（0.3pF），保证不会明显增加静态功耗或影响高速数据信号完整性，适合 3.3V TTL/LVTTL、SPI、I²C、UART、USB 数据线等。
• 双向结构可在正反方向瞬态事件下提供对称保护，适用于交流耦合或双向信号线场合。

四、典型应用

• MCU/FPGA 外围数据接口保护（GPIO、SPI、I²C、UART）
• 移动设备与便携式电子产品的外部接口（耳机、按键线）
• 通信接口与传感器线缆保护
• 工业控制与楼宇自控中对静电和浪涌防护要求的信号通道

五、封装与布局建议

• X2-DSN0603-2 小型封装，适合空间受限的设计。
• 布局时将 TVS 近距离放置于被保护引脚与地之间，尽量缩短引脚到保护器件的走线，减小环路面积以提高抑制效果。
• 在有需要时于器件地端附近放置多颗下穿通孔（vias）以改善接地回流；保持焊盘清洁并参照厂商封装图纸设计焊盘与回流工艺。
• 对高速差分信号线使用时，注意并联 TVS 对于差分平衡的影响，尽量选择对称布置并校准阻抗。

六、可靠性与使用注意

• 工作环境温度为 -55℃ ~ +150℃，适合宽温度工业级应用；在高温或高脉冲密度环境下，请参考厂商寿命和热特性曲线。
• 器件为单路保护，若需多路保护请按通道数选择或并联多颗器件并留意功率分担与热管理。
• 在实际布局前请阅读完整数据手册，确认焊接工艺、最大瞬态能量、封装机械尺寸与卷带包装信息。

七、资料与选型

欲获取器件详细典型波形、封装尺寸、回流曲线及电气特性曲线，请下载 DIODES 官方数据手册并参考样片测试结果。D3V3Z1BD2CSP-7 适用于对 3.3V 信号线进行高可靠、低电容的瞬态过压保护场合。