NFM21CC221R1H3D 产品概述

一、产品简介

NFM21CC221R1H3D 是村田（muRata）推出的一款 SMD 馈通电容滤波器，封装为 SMD-4P（尺寸约 2.0 × 1.2 mm）。该器件将小容量电容与滤波结构结合，用于电源线或信号线的射频噪声抑制与去耦，适合空间受限的表面贴装应用。

二、主要电气参数

• 容值：220 pF
• 精度：±20%
• 额定电压：50 V DC
• 额定电流（连续）：700 mA
• 直流电阻（DCR）：约 300 mΩ
• 工作温度范围：-55 ℃ ～ +125 ℃
• 封装：SMD-4P，尺寸 2 × 1.2 mm
• 品牌：muRata（村田）

三、产品特点与优势

• 小体积高密度：2×1.2 mm 封装适合移动设备、蓝牙/Wi‑Fi 模块、电源滤波等对 PCB 面积要求高的场合。
• 良好频率特性：针对射频与高速开关噪声具有较好的抑制能力（具体插入损耗与频率响应建议参考厂方 S 参数或实测曲线）。
• 宽工作温度与可靠性：-55～125 ℃ 覆盖大多数工业及消费电子工作环境。
• 方便生产：标准 SMD 封装，兼容回流焊工艺，便于自动化贴装。

四、典型应用场景

• 移动终端与可穿戴设备的电源去耦与 EMI 抑制。
• 无线模块（Wi‑Fi／BT）电源与天线附近的噪声滤除。
• 工业与通信设备中对电源纹波与射频干扰的局部滤波。
  （注：若用于汽车等高可靠场合，请结合系统级认证与温升、振动等要求进行评估。）

五、封装与安装注意事项

• 推荐使用厂方提供的 PCB 焊盘尺寸和回流焊工艺参数，严格控制焊膏量以避免虚焊或焊料溢出影响电气性能。
• 回流后尽量避免二次热冲击与强机械应力，贴装位置应考虑热源和振动因素。
• 对于高电流或高功率场合，检查器件周边散热与电流路径，避免长期过载。

六、选型与使用建议

• 电压裕量：工作电压应低于额定 50 V，若有瞬态冲击或高压纹波，建议留有裕度或添加抑制元件。
• 电流与压降：700 mA 为其额定连续电流，DCR 约 300 mΩ 在大电流时会产生压降与功耗，设计时需评估温升与效率影响。
• 高频特性验证：在对 EMI 抑制有严格要求的设计中，应获取插入损耗/回波损耗曲线并在目标频段验证效果。
• 同类替代：可在相同容值、额定电压与封装尺寸范围内选择同类馈通/去耦滤波器，但需比对 DCR、频率响应及可靠性参数。

七、可靠性与储存

• 储存环境建议干燥、避免潮湿与强酸碱气体，未打开包装的元件应按厂方建议在保质期内使用。
• 实装后遵循正常的电气应力限制，避免超过额定电流、电压及温度循环规格，以确保长期可靠性。

总结：NFM21CC221R1H3D 以其小体积、适中的电气参数和良好的温度范围，适合用于需要局部电源去耦与 EMI 抑制的紧凑型电子产品。在设计中应关注电流承载能力、DCR 产生的压降以及目标频段的滤波效果，并根据具体应用参照厂方完整资料或进行实测验证。