BAV70 产品概述

一、概述

BAV70 是一款小体积、高速开关二极管，JSMSEMI（杰盛微）出品，采用 SOT-23 表面贴装封装，内部为一对共阴极（双二极管共阴）结构。器件针对高速信号处理与小功率整流场景优化，具备低正向压降、快速恢复与较小反向漏电的特性，适用于通信、信号整形、限幅与电平移位等多种应用场景。

二、主要电气参数

• 工作结温范围：-55℃ ~ +150℃，适应宽温度环境。
• 正向压降 (Vf)：1.25V @ 150mA，低压降有利于减小信号失真与功耗。
• 直流整流电流：200mA，适合小功率整流与开关应用。
• 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)：500mA，可承受短时浪涌冲击但不适合长期大电流负载。
• 直流反向耐压 (Vr)：70V，可用于中等阻断电压场合的反向保护。
• 反向电流 (Ir)：2.5μA @ 70V，漏电小，有利于高阻抗电路与模拟信号链。
• 反向恢复时间 (Trr)：6ns，恢复快，适合高频开关与脉冲信号处理。

三、封装与引脚信息

器件采用 SOT-23 封装，体积小、便于表面贴装和自动化生产。内部为一对共阴极二极管（Common Cathode），便于构成双路开关、前置限幅或双向信号钳位等电路。SOT-23 封装有利于节省 PCB 面积，适配移动设备与紧凑式电子模块。

四、典型应用场景

• 高频/高速开关与脉冲整形电路：6ns 的反向恢复时间适合对速度有要求的开关、门电路及逻辑接口。
• 信号钳位、限幅与采样电路：共阴结构便于实现双路对称限幅或差分信号保护。
• 小功率整流与反向保护：200mA 直流整流电流与 70V 阻断电压适合小功率电源与保护路径。
• 模拟前端与接口电路：低反向漏电利于高阻抗输入、CMOS/TTL 接口及传感器前端应用。
• 通信与射频前端的开关矩阵（非高功率）和混合信号处理。

五、选型与设计建议

• 若电路中长期工作电流接近或超过 200mA，应选用额定电流更高的器件以保证可靠性。
• 在开关/脉冲应用中关注封装散热及 PCB 走线，尽量缩短热阻与电感路径，避免寄生导致的振铃。
• 对于高温工作环境（靠近 150℃），需评估器件的长期漂移与热循环可靠性。
• 若电路对反向漏电极为敏感，应留有裕量，测试实际系统温度下的 Ir 值。
• 浪涌保护仅限短时 Ifsm 500mA，若需承受连续或更大冲击，应并联或选择浪涌能力更强的器件。

六、可靠性与注意事项

• SOT-23 为常用 SMT 封装，推荐按照常规回流焊工艺进行贴装，遵循厂家封装与回流温度限制（参考生产商工艺文档）。
• 存储与使用中避免超出规格的反向电压与浪涌电流，以防结点击穿或热失效。
• 在高频应用中，应做好去耦与阻抗匹配，减少寄生电容与电感对信号的影响。
• 芯片生产批次、封装与标记请以 JSMSEMI 官方出货为准，量产时建议索取完整数据手册与可靠性测试报告。

总结：JSMSEMI 的 BAV70（SOT-23、1 对共阴极）以其低 Vf、快速恢复、较低漏电与中等耐压特性，适合高速开关、信号限幅与小功率整流等场合。在选型与实际应用时需关注电流与热管理限制，以保证长期稳定运行。若需更详细的封装图、引脚定义或热特性，请参考厂方完整数据手册或联系供应商获取样品测试数据。