型号:

MMBTA92

品牌:JSMSEMI(杰盛微)
封装:SOT-23
批次:25+
包装:编带
重量:0.000057
其他:
MMBTA92 产品实物图片
MMBTA92 一小时发货
描述:三极管(BJT) 80@30mA,10V 250mW 300V 500mA
库存数量
库存:
7976
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0637
3000+
0.0506
产品参数
属性参数值
集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)300V
耗散功率(Pd)300mW
直流电流增益(hFE)80@30mA,10V
特征频率(fT)50MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))500mV
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
射基极击穿电压(Vebo)5V

MMBTA92 产品概述

一、简介

MMBTA92 是一款用于通用放大与开关的高压小信号晶体管,封装为 SOT-23,适合空间受限的表贴电路。器件在中等电流点具有稳定的直流电流增益,且具备较高的集电极-射极耐压,适用于需要高压耐受能力的低功耗应用。

二、主要电气参数

  • 直流电流增益 hFE:80(条件:Ic=30mA,Vce=10V)
  • 集电极-射极击穿电压 Vceo:300V
  • 集电极电流 Ic(最大):500mA(请参考数据手册区分脉冲与连续极限)
  • 耗散功率 Pd:300mW(SOT-23 典型环境工况)
  • 特征频率 fT:50MHz
  • 集电极截止电流 Icbo:100nA(高压关断时漏电低)
  • 射基极击穿电压 Vebo:5V(反向基-射耐压需注意)
  • 集射极饱和电压 VCE(sat):约500mV(在推荐测试条件下)

三、性能要点解析

该器件在约30mA工况下具有中等增益(hFE≈80),适合小信号放大与驱动级。300V 的 Vceo 使其能承受较高电压应力,适合高压轨道或隔离级应用。fT≈50MHz 表明在中频范围有良好响应,适用于开关频率不极高的转换器或驱动电路。低 Icbo 有利于提高关断精度和降低静态泄漏。

四、典型应用场景

  • 高压开关与驱动(小功率电源、隔离驱动)
  • 线性前置放大器与电平移位电路
  • 低功耗开关电路、保护与测量前端
  • SOT-23 封装的空间受限图纸与消费类电子

五、使用建议与注意事项

  • Pd 为典型额定值,实际允许耗散与 PCB 热阻、环境温度和焊盘面积密切相关;高温下需按器件手册进行功耗降额设计。
  • Ic 最大值需区分脉冲与连续额定,长时间大电流会受限于封装散热能力。
  • 注意 Vebo(5V)限制,避免对基-射结施加反向过压。
  • 若作为开关使用,保证足够的基极驱动以降低 VCE(sat),同时监控功耗和结温。

六、封装与焊接要点

SOT-23 对应小体积焊盘,建议在布局时增加散热铜箔与热通孔,必要时连到大面积地铜以改善功耗散热。回流焊工艺兼容,但需避免过度机械应力导致引脚损伤。

七、可靠性与替代

该器件在温度范围内工作稳定,但在高温及高功耗工况下应做热仿真验证。选择替代器件时,应匹配 Vceo、hFE、Ic、Pd 与封装热阻等关键参数,必要时查询完整数据手册以确认极限与典型测试条件。

如需基于具体电路(放大、开关或保护)给出典型偏置电路、热计算或 PCB 布局建议,可提供电路要求与工作点,我将给出更详细的设计指导。