LM339M/TR 产品概述

一、产品简介

HGSEMI（华冠）LM339M/TR 是一款高稳定性的四路比较器，封装为 SOP-14，适用于工业和消费类模拟信号比较应用。器件输出兼容 TTL 与 CMOS 电平，具有低输入失调和低静态电流特点，支持宽电源电压范围，可单电源或对称双电源工作，适合电池供电或多电压系统中的比较与电平检测任务。

二、主要参数

• 比较器通道数：4 路
• 输入失调电压 (Vos)：典型 2 mV
• 输入偏置电流 (Ib)：典型 25 nA
• 输入失调电流 (Ios)：典型 5 nA
• 传播延迟 (tpd)：典型 300 ns
• 输出模式：开集电极输出，兼容 TTL / CMOS 电平（需上拉电阻）
• 静态电流 (Iq)：典型 800 μA
• 工作温度范围：0℃ ~ +70℃（商业级）
• 最大电源差值 (Vdd - Vss)：36 V
• 单电源工作范围：3 V ~ 32 V
• 双电源工作范围：Vee ~ Vcc = 1.5 V ~ 16 V（对称）或 -16 V ~ -1.5 V
• 封装：SOP-14（TR 表示卷带编带供应）

三、器件特性与优势

• 精度：输入失调电压仅 2 mV，适合对精度有一定要求的阈值检测场合；低输入失调电流与偏置电流有利于高阻抗源直接驱动输入。
• 低功耗：典型静态电流 800 μA，使得在电池供电或功耗受限的系统中具有优势。
• 宽电源范围：支持 3 V 至 32 V 单电源或 ±1.5 V 至 ±16 V 的对称供电，便于在多种供电架构中使用。
• 通用输出接口：开集电极输出可通过外接上拉电阻适配多种逻辑电平（TTL/CMOS），便于与微控制器、逻辑门、电平转换器对接。
• 多通道集成：四路比较器在单芯片内集成，节省 PCB 面积并简化电路布局。

四、典型应用场景

• 电压监测与电池电量检测：阈值检测、欠压/过压指示。
• 零交叉检测与波形整形：交流信号检测与整流后比较。
• 多路模拟开关与窗口比较：多通道同时比较不同输入电平。
• 数据采集前端：模拟量与数字逻辑接口前的阈值判别与限幅。
• 工业控制与传感器接口：限位检测、事件触发等低速比较任务。

五、设计与使用建议

• 上拉电阻选择：由于输出为开集电极，需要外接上拉电阻以产生有效输出电平。上拉阻值影响上升时间与功耗，选择时在响应速度与电流消耗间权衡（典型从 4.7 kΩ 到 100 kΩ 不等，依据系统要求）。
• 电源滤波与去耦：在每个器件电源近旁放置 0.1 μF 陶瓷去耦电容以抑制瞬态噪声，必要时增加 1 μF~10 μF 电解电容做全局滤波。
• 输入保护：若输入可能出现超出供电轨的电压，建议增加限流电阻或保护二极管，防止输入结构受损或影响比较器性能。
• 热与环境：工作温度为 0℃~+70℃，适合商业环境；如需扩展到工业温度范围，请选用对应等级的器件或进行额外评估。
• 布局注意：将比较器敏感输入线短且远离开关噪声源，减小输入引线电容与干扰，确保稳定比较性能。

六、封装与订购信息

• 封装形式：SOP-14，便于自动化贴装与中小批量生产。
• 订购代码：LM339M/TR（TR 表示按卷带（tape & reel）包装，适合 SMT 生产线）。
• 品牌：HGSEMI（华冠），提供商业级可靠性和常规质量支持。

综上所述，HGSEMI LM339M/TR 是一款通用性强、供电范围宽、低功耗的四路比较器，适合各类低速到中速的阈值检测与逻辑接口场景。在具体设计中，应注意上拉电阻、电源去耦与输入保护等细节，以发挥器件的最佳性能。若需更详细的电气特性曲线、引脚分配或典型应用电路，请参考 HGSEMI 的完整数据手册。