型号:

BAS21

品牌:CJ(江苏长电/长晶)
封装:SOT-23
批次:两年内
包装:编带
重量:-
其他:
BAS21 产品实物图片
BAS21 一小时发货
描述:开关二极管 独立式 1.25V@200mA 250V 200mA
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.07074
3000+
0.05616
产品参数
属性参数值
二极管配置独立式
正向压降(Vf)1.25V@200mA
直流反向耐压(Vr)250V
整流电流200mA
耗散功率(Pd)225mW
反向电流(Ir)100nA@200V
反向恢复时间(Trr)50ns
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)2.5A

BAS21 产品概述

BAS21 是一款面向通用开关与高频整流场景的独立式开关二极管,CJ(江苏长电/长晶)品牌提供 SOT-23 小封装版本,适合空间受限的表贴电路。该器件具有较低的正向压降、快速恢复时间与极低的反向漏电特性,适用于开关电源、信号整形、浪涌抑制与高频开关场合。

一、主要电气参数(关键规格)

  • 二极管配置:独立式
  • 正向压降(Vf):1.25 V @ IF = 200 mA
  • 整流电流(平均):200 mA
  • 非重复峰值浪涌电流(Ifsm):2.5 A(脉冲)
  • 直流反向耐压(Vr / VRRM):250 V
  • 反向电流(Ir):100 nA @ VR = 200 V
  • 反向恢复时间(Trr):50 ns
  • 耗散功率(Pd):225 mW
  • 封装:SOT-23
  • 品牌:CJ(江苏长电/长晶)

二、产品特点与优势

  • 低正向压降:1.25 V 在 200 mA 条件下,有利于降低导通损耗,适合中小电流整流与开关节点使用。
  • 快速恢复:约 50 ns 的反向恢复时间,适配高频开关与脉冲信号,能减少开关损耗与电磁干扰(EMI)。
  • 低漏电流:在高电压(200 V)下仅约 100 nA,适用于要求低泄漏的高压电路与检测电路。
  • 高耐压:250 V 的反向耐压能覆盖大多数中低压电源与隔离电路需求。
  • 小型封装:SOT-23 便于在 PCB 上高密度布置,适合便携与消费电子产品。

三、典型应用场景

  • 开关电源(SMPS)中的快速整流和高频切换节点
  • 通信与网络设备的信号整形、保护与隔离
  • 消费电子、便携设备的整流与浪涌吸收
  • 反向电压保护、钳位电路与二次侧整流
  • 低功耗检测与高压测量电路(利用低漏电特性)

四、使用与热管理建议

  • 连续工作电流建议不超过标称整流电流 200 mA;高于此值时需考虑器件升温及可靠性。
  • 峰值脉冲(Ifsm)虽可达 2.5 A,但仅限短时冲击(查看数据手册获取具体脉冲宽度和循环条件),避免频繁大幅度冲击。
  • 耗散功率 Pd = 225 mW 相对较小,SOT-23 封装热阻高,实际使用中应通过 PCB 铜箔扩散热量:在二极管引脚处增加铜面、加多过孔连至散热层,可显著降低结温。
  • 在高电压或高温环境下,应做适当降额设计(derating),以保证长期可靠性。

五、封装与焊接建议

  • SOT-23 封装适合常规回流焊工艺。在装配时遵循制造商的回流温度曲线与峰值温度限制。
  • 为减少热影响与机械应力,推荐在pcb上设计合适的焊盘和过孔,避免焊膏量过多或过少导致焊接缺陷。
  • 在高频/高电流走线处保持引脚与器件间短而粗的走线,减少寄生电感与热阻。

六、选型与替代建议

  • 若需更低正向压降或更高整流电流,可选择肖特基二极管;但肖特基在高压(>200 V)时选择受限,且漏电可能更高。
  • 若应用更强调开关速度与低 Trr,可考虑专用快速恢复二极管或超快速二极管,但需权衡漏电、压降与耐压。
  • 选型时请核对数据手册的脉冲测试条件、结温(Tj)范围与频繁冲击耐受能力,确保满足实际工作工况。

七、结论

BAS21(CJ 出品、SOT-23 封装)是一款面向中低功率、高压耐受且具备快速恢复能力的开关二极管,适用于各类开关电源、信号整形与保护电路。设计时需重视热管理与工作电流降额,以获得最佳稳定性与寿命。欲获取更详细的电气特性曲线、封装尺寸与回流焊工艺参数,请参考厂商完整数据手册。