SS110 产品概述

一、主要参数概览

SS110 为肖特基二极管（Schottky Barrier Diode），由 CJ（江苏长电/长晶）生产，采用 SMAG 独立式小型封装。主要电气参数如下：

• 正向压降（Vf）：850 mV @ 1 A
• 直流反向耐压（Vr）：100 V
• 正向整流电流（If）：1 A（连续）
• 反向漏电流（Ir）：100 μA @ 100 V
• 非重复峰值浪涌电流（Ifsm）：30 A（一次性浪涌）
• 工作结温范围：-55 ℃ ～ +150 ℃

二、性能特点

1. 低正向压降：在 1 A 工作电流下 Vf≈0.85 V，相较于普通硅整流二极管可显著降低导通损耗，适合对效率敏感的低压电源和开关电源输出整流场合。
2. 高频响应快：肖特基结构使得开关速度快、恢复时间近似于零，适合高频整流与续流处理。
3. 耐压较高：100 V 的反向耐压在许多中低压开关电源、电机驱动与汽车电子电路中具有良好适用性。
4. 耐浪涌能力：30 A 的单次峰值冲击能力可应对短时启动电流或浪涌事件，但不宜作为长期过载承受。

三、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）输出整流与续流回路
• DC-DC 转换器整流与保护
• 反向保护与极性保护电路
• 电池充放电与能量回收路径
• 车载电子、工业电源和小功率电机驱动等对效率和开关频率有要求的场合

四、封装与热管理

SS110 采用 SMAG 独立式小封装，体积紧凑，便于点对点安装或在有限空间内布置。尽管封装紧凑，但在高电流或频繁脉冲情况下仍需注意散热：

• 在 PCB 布局上尽量为二极管附近提供宽大的铜箔散热区或热过孔以降低结温。
• 关注环境温度与结温上升带来的漏电流增加与正向压降变化，必要时进行电流/温度降额使用。
• 在波峰/回流焊接时遵循厂商推荐的焊接曲线以防封装及性能退化。

五、使用注意事项与可靠性

• 反向漏电流随温度显著上升，应用时需考虑高温条件下的漏电容忍度，尤其在高压持续反向偏置场景。
• Ifsm 为非重复峰值浪涌电流，仅用于短时脉冲（如浪涌或启动）；避免在设计中依赖其承受重复或长时间冲击。
• 若电路对反向恢复、电压尖峰或热稳定性敏感，应查阅完整数据手册中的 I-V 曲线、热阻与降额曲线以做精确设计。
• 选择熔断保护或合适的限流措施以防止过流损坏。

六、选型建议与替代方案

SS110 适合在追求低导通损耗与高频性能的 1 A 级整流场合使用。在需要更低 Vf 或更小漏电流时，可考虑更高规格的肖特基型号；若要求更高的耐压或更大持续电流，应选用额定更高的产品。采购时可结合 CJ 品牌的供货、价格与量产稳定性做综合评估。

总结：SS110 以其低正向压降、快速开关特性与 100 V 耐压，适用于多种中低功率整流与保护应用。合理的热设计与对漏电流随温升特性的预判，是保证长期可靠运行的关键。若需进一步电气特性曲线或封装尺寸数据，请参考厂家完整数据手册。