PESD24VS2UT 产品概述

PESD24VS2UT 是 UMW（友台半导体）面向 24V 工业/通信线路的静电与浪涌保护器件（TVS/ESD），SOT-23 小封装，适合表贴装配。器件通过 IEC 61000-4-2（静电放电）、IEC 61000-4-4（脉冲群）和 IEC 61000-4-5（浪涌）认证，能在空间受限的电路中提供有效的瞬态抑制保护。

一 性能亮点

• 钳位电压（Vc）：44 V（在脉冲条件下），可将高幅值瞬态电压限制在可接受水平。
• 击穿电压（Vbr）：30 V，反向截止电压（Vrwm）为 24 V，适配典型 24 V 直流系统。
• 峰值脉冲功率（Ppp）：300 W（8/20 μs 波形），对应峰值脉冲电流 Ipp = 6 A（8/20 μs）。
• 结电容（Cj）：约 30 pF，低至中等电容影响高速信号。
• 反向漏电流（Ir）：100 nA，适合低功耗场合。

二 典型应用场景

• 工业控制总线、传感器供电线路（24 V 系统）防护；
• 通信接口、I/O 端口的静电和浪涌保护；
• 消费与工业产品中靠近外部连接器的防护元件；
• 对抗偶发浪涌、开关瞬态和人为静电放电（ESD）的前端保护。

三 关键参数说明与影响

• Vrwm = 24 V：器件在正常工作电压下保持截止，适用于额定 24 V 的系统。
• Vbr = 30 V 与 Vc = 44 V：在过压事件时器件导通并把瞬态电压钳制到约 44 V，设计时需确保后端元件能承受此钳位或加串联限流元件。
• Ppp 与 Ipp（8/20 μs）：反映单次浪涌能力，300 W/6 A 适合常见工业浪涌，但对反复或更大能量事件需采用更高能量器件或并联/级联保护。
• Cj = 30 pF：对高频信号（USB 2.0、千兆以太网等）会产生一定负载，若对信号完整性要求高，应评估是否采用低容型 ESD 器件。

四 PCB 布局与使用建议

• 将器件放置于入板或接口附近，靠近受保护线的入口，缩短导线长度与走线阻抗。
• 为地线提供低阻抗回流路径，优先使用接地平面并加密过孔。
• 在需要时与串联电阻或共模电感配合使用，以限制能量传递并改善系统耐受性。
• 注意焊接与热设计，SOT-23 封装需按厂方回流曲线焊接以保证可靠性。

五 选型注意事项

• 若保护高速差分信号或对电容极敏感应用，应考虑更低结电容的 ESD 器件；
• 对连续高能浪涌或汽车级要求（宽温、负载转向、反向电压等），评估是否需要汽车等级或更高功率TVS；
• 验证钳位电压与被保护芯片最大承受电压的匹配，必要时加入限流措施。

六 封装与可靠性

SOT-23 小尺寸方便自动贴装，适合空间受限的工业与消费电子设计。结合器件的低漏电与中等结电容，PESD24VS2UT 在常见 24 V 应用中能提供平衡的保护性能与封装优势。选型时请参考厂方完整数据手册以获取典型波形、温度特性和引脚定义。