型号:

PESD1LIN

品牌:UMW(友台半导体)
封装:SOD-323
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
PESD1LIN 产品实物图片
PESD1LIN 一小时发货
描述:44V,70V 夹子 3A(8/20µs) Ipp TVS 二极管 表面贴装型
库存数量
库存:
4524
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.13464
3000+
0.12036
产品参数
属性参数值
极性双向
峰值脉冲电流(Ipp)3A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)160W@8/20us
反向电流(Ir)1nA
通道数单路
防护等级IEC 61000-4-5
类型ESD
Cj-结电容13pF

PESD1LIN 产品概述

一、产品简介

PESD1LIN 是 UMW(友台半导体)推出的表面贴装型 TVS(瞬态电压抑制)二极管,面向对浪涌和静电放电保护有较高要求的线路设计。该器件为单路、双向保护,采用 SOD-323 小封装,适合空间受限的消费电子、通信和工业设备中作为输入/输出端或电源防护件使用。

二、主要参数

  • 峰值脉冲功率 Ppp:160 W(8/20 µs)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:3 A(8/20 µs)
  • 结电容 Cj:13 pF(典型)
  • 反向漏电流 Ir:1 nA(典型)
  • 通道数:单路
  • 极性:双向(双向钳位)
  • 钳位/参考电压:常见型号对应典型钳位 44 V、70 V(可选型号)
  • 标准/等级:符合 IEC 61000-4-5 浪涌防护要求
  • 封装:SOD-323,表面贴装型

三、性能特点

  • 高能量吸收能力:160 W(8/20 µs)峰值功率和 3 A 峰值脉冲电流,能有效吸收瞬态浪涌与雷击脉冲能量。
  • 低结电容:13 pF 的典型结电容,适合对信号完整性有要求的高速接口或敏感模拟线路。
  • 超低漏电:1 nA 反向漏电流,减小对被保护电路的静态影响,适合低功耗系统。
  • 双向保护:无需考虑极性,能在正负瞬态下提供对称钳位,方便用于交流或差分信号线路。
  • 小尺寸封装:SOD-323 便于在空间受限的 PCB 上布置,且适配常见回流焊工艺。

四、典型应用场景

  • 通信接口与数据线防护(串口、RS‑485、CAN、USB 等,对低容抗的要求视型号而定)
  • 工业控制与电源端口浪涌保护(可选 44 V/70 V 型号以匹配不同电压等级)
  • 消费类电子输入端与外部连接器防护
  • 需要双向 ESD/浪涌抑制的信号/电源线路

五、封装与安装注意

PESD1LIN 采用 SOD-323 小型封装,装配时建议将器件尽可能靠近被保护的连接器或引脚放置,减小寄生电感与回路面积。双向器件通常无极性方向限制,但请参考封装标识以保证一致性。设计时留意焊盘尺寸与与焊接热循环兼容性,遵循厂商推荐回流焊曲线以保证可靠性。

六、设计与布线建议

  • 将 TVS 器件尽量靠近受保护端口放置,走线短且粗以降低串联电感。
  • 为高能量冲击提供低阻抗回流路径,建议在器件接地端使用大面积接地平面并通过多点过孔接地。
  • 对于对信号完整性敏感的高速信号,可评估并行阻抗影响,必要时选用低电容或专用高速 TVS。
  • 当单一器件能量不足时,可与系列阻抗或更高功率级联器件配合使用以提升系统级防护能力。

七、合规与可靠性

PESD1LIN 针对 IEC 61000-4-5 浪涌测试条件设计,8/20 µs 测试脉冲下具备标称吸收能力。器件在正常工作温度与推荐焊接条件下具有良好的长期可靠性,适用于工业与消费类环境。具体环境应力与寿命评估建议结合实际应用做加速试验验证。

八、优势小结

PESD1LIN 在小封装下提供了较高的瞬态吸收能力、低结电容与超低漏电流,适合对空间、信号完整性与低功耗要求并存的保护场景。可选的钳位电压(44 V / 70 V)便于在不同工作电压等级中灵活部署,是一种通用、成本效益高的瞬态防护解决方案。

如需更详细的电气特性表、钳位电压曲线或 PCB 焊盘建议图,请告知我所需型号(44V 型或 70V 型)及应用场景,我可以提供针对性的建议与参考数据。