BSS138（UMW/友台）产品概述

一、产品简介

BSS138 是一款单颗 N 沟道增强型场效应管（MOSFET），采用 SOT-23 小封装，适用于小电流开关与电平移位等应用。该器件额定漏源电压为 50V，连续漏极电流为 300mA，最高耗散功率为 300mW，工作温度范围宽（-55℃~+150℃），具有体积小、开关性能良好、输入电容低等特点，适合便携式与空间受限的电路板设计。

二、主要电气参数

• 类型：N 沟道 MOSFET（单颗）
• 漏源电压 Vdss：50V
• 连续漏极电流 Id：300mA
• 导通电阻 RDS(on)：2.5Ω @ Vgs=10V；3.5Ω @ Vgs=2.5V
• 阈值电压 Vgs(th)：1.5V @ Id=250µA
• 耗散功率 Pd：300mW
• 输入电容 Ciss：50pF
• 输出电容 Coss：25pF
• 反向传输电容 Crss：8pF
• 封装：SOT-23
• 工作温度：-55℃ ~ +150℃

三、性能解读与使用建议

• 导通与驱动：器件在 Vgs=10V 时 RDS(on)=2.5Ω，在 Vgs=2.5V 时 RDS(on)=3.5Ω，说明其为低电流、低功耗场合设计的逻辑级 MOSFET，但并非低 RDS(on）的功率管。在 300mA 条件下，功耗大约为 I^2·R：当 Vgs=10V 时约 0.225W，接近器件 Pd 上限；当 Vgs=2.5V 时约 0.315W，会超过额定耗散，因此实际设计应留有裕量，避免长时间满载工作。
• 开关特性：Ciss=50pF，Coss=25pF，Crss=8pF，栅电容较小，便于快速切换与低驱动能耗，适合高速小信号开关或电平移位电路。
• 热管理：SOT-23 封装散热能力有限，Pd=300mW 在高环境温度或散热不良时会被限制。建议在 PCB 设计中使用更大的铜箔、热沉或多层过孔来改善散热，提高可靠性。

四、典型应用场景

• 低电流负载开关：驱动小型继电器线圈指示灯或低功率传感器供电控制。
• 电平移位：用于 3.3V 与较高逻辑电平间的双向或单向电平转换（配合上拉电阻）。
• 信号切换与保护：作为开关元件用于数字信号隔离、反接保护或短路保护方案中的一部分。
• 便携与电池供电设备：低静态功耗与小封装适合移动设备的空间限制场合。

五、封装与 PCB 布局建议

• 封装：SOT-23，三引脚（G、D、S）标准排列，便于安装与自动贴装。
• 布局建议：
  • 栅极走线短且避免长的串联电感，以保持开关速度与稳定性。
  • Drain 引脚连到较大铜面以利散热，必要时在底层增加过孔连接散热层。
  • 在高频切换应用中，靠近 MOSFET 放置退耦电容，减小寄生电感。
  • 对于敏感信号，注意将栅极与高频干扰源隔离，必要时增加栅极电阻抑制振荡。

六、选型与注意事项

• 若电路常态下工作电流接近或超过 200–300mA，应评估器件在实际环境温度与 PCB 散热条件下的结温升，并考虑选择更低 RDS(on) 或更大 Pd 的器件以保证可靠性。
• 当需要在较低 Vgs（如 1.8V）下驱动时，应验证 RDS(on) 与开关性能是否满足要求；该器件在 2.5V 时 RDS(on) 已为 3.5Ω，低电压驱动下导通损耗会显著增加。
• 在高压浪涌或易受静电环境中使用时，注意 ESD 防护与适当的栅源保护元件，以延长器件寿命。

总结：UMW（友台）BSS138 是一款面向小电流、低功耗开关与电平移位的 N 沟道 MOSFET，SOT-23 小封装和较小的寄生电容使其在空间受限且需快速切换的应用中具有优势。但在高电流或高功耗场合需谨慎使用并加强散热设计。